Mappatura del campione

Sulla base del campione fisico fornito dal cliente (anche se si tratta di una parte usata usurata o fratturata), offriamo un servizio a spettro completo che va dal reverse engineering della struttura fisica alla caratterizzazione fisico-chimica a livello di materiale. Sfruttando apparecchiature di ispezione ad alta precisione per semiconduttori, quantifichiamo accuratamente strutture geometriche 3D complesse, proprietà di interfaccia rivestimento/substrato e parametri fisici dei materiali, garantendo che il prodotto sottoposto a reverse engineering soddisfi o supera gli standard OEM in termini di idoneità fisica, compatibilità di processo e durata di servizio (sostituzione Form-Fit-Function).

Cosa misuriamo (prodotti tecnici):

• Tolleranze dimensionali e geometriche:Utilizzando macchine di misura a coordinate (CMM) ad alta precisione e scanner ottici 3D, eseguiamo la modellazione di nuvole di punti a grandezza naturale e la ricostruzione di complesse strutture di cavità e di fori di montaggio/localizzazione, ottenendo una precisione a livello di micron.
• Micromorfologia e planarità della superficie:Utilizzo di interferometri a luce bianca e profilometri ottici per valutare la ruvidità superficiale (Ra) su scala nanometrica e la planarità su grandi aree, soddisfacendo i requisiti di gestione dei wafer e di sigillatura delle camere.
• Microfunzionalità Edge:Mappatura ad alto ingrandimento dei raggi R dei bordi e dei microprofili di smusso per ottimizzare la morfologia del rivestimento ed evitare la concentrazione di stress negli angoli acuti che possono causare delaminazione ad alta temperatura.
• Analisi del substrato di grafite e della corrispondenza termica:Valutazione della densità del substrato di grafite ad elevata purezza, della dimensione dei grani e del coefficiente di espansione termica (CTE) per garantire la corrispondenza dello stress termico tra il substrato e il rivestimento CVD.
• Sezione trasversale del rivestimento e qualità del collegamento dell'interfaccia:Analisi XRF non distruttiva e SEM della sezione metallografica per misurare lo spessore assoluto, l'uniformità radiale del rivestimento CVD e la profondità di penetrazione dell'interfaccia.
• Struttura di fase e analisi dei microcristalli:Valutazione XRD della purezza della fase cubica (β-SiC) del SiC CVD; valutazione qualitativa della stechiometria chimica e delle caratteristiche della struttura cristallina del CVD TaC.

Caso reale e vantaggi per il cliente (esperienza):

Un cliente di un componente di incisione di semiconduttori da 12 pollici:Fornitura OEM interrotta; era disponibile solo una parte usata usurata. Attraverso la modellazione inversa CMM + analisi della sezione trasversale del rivestimento SEM, abbiamo completato lo sviluppo delle parti sostitutive e i test sullo strumento entro 2 mesi senza disegni originali, ottenendo un'idoneità dell'installazione del 100%. Alla fine, il ciclo di approvvigionamento dei componenti è stato ridotto dai 6 mesi originali di importazione a 2 mesi, i costi di approvvigionamento unitari sono diminuiti del 42% e questo modello è stato fornito stabilmente per più di 30 lotti.

Rivestimento in carburo di silicio (SiC) sulla sezione trasversale del rivestimento SEM

Domande frequenti

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