Conosci MocVD Susceptor?

Nel processo di deposizione di vapore chimico metallo-organico (MOCVD), il sucettore è un componente chiave responsabile del supporto del wafer e garantire l'uniformità e il controllo preciso del processo di deposizione. La sua selezione dei materiali e le caratteristiche del prodotto influenzano direttamente la stabilità del processo epitassiale e la qualità del prodotto.

Supporto MOCVD(Deposizione di vapore chimico metallo-organico) è un componente di processo chiave nella produzione di semiconduttori. È utilizzato principalmente nel processo MOCVD (deposizione di vapore chimico organico metallo) per supportare e riscaldare il wafer per la deposizione di film sottile. La progettazione e la selezione del materiale del sucettore sono cruciali per l'uniformità, l'efficienza e la qualità del prodotto finale.

Tipo di prodotto e selezione del materiale:

La progettazione e la selezione del materiale del suscettore MOCVD sono diverse, generalmente determinate dai requisiti di processo e dalle condizioni di reazione.I seguenti sono i tipi di prodotti comuni e i loro materiali:

SUSCTORETTORE CAPEATO SIC(Suscitatore rivestito in carburo di silicio):

Descrizione: suscettore con rivestimento SIC, con grafite o altri materiali ad alta temperatura come substrato e rivestimento SIC CVD (rivestimento CVD SIC) sulla superficie per migliorare la sua resistenza all'usura e resistenza alla corrosione.

Applicazione: ampiamente utilizzato nei processi MOCVD in ambienti di gas ad alta temperatura e altamente corrosivi, in particolare nell'epitassia al silicio e nella deposizione di semiconduttori composti.

SUTER TAC rivestiti:

Descrizione: Suscettore con rivestimento TAC (rivestimento CVD TAC) come materiale principale ha una durezza e una stabilità chimica estremamente elevata ed è adatto per l'uso in ambienti estremamente corrosivi.

Applicazione: utilizzato nei processi MOCVD che richiedono una maggiore resistenza alla corrosione e resistenza meccanica, come la deposizione di nitruro di gallio (GAN) e arsenuro di gallio (GAAS).

Suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio per MOCVD:

Descrizione: il substrato è grafite e la superficie è coperta da uno strato di rivestimento SIC CVD per garantire stabilità e lunga vita ad alte temperature.

Applicazione: Adatto per l'uso in apparecchiature come i reattori Aixtron MOCVD per produrre materiali a semiconduttore composti di alta qualità.

Supporto EPI (Epitaxy Supporter):

Descrizione: Suscettore appositamente progettato per il processo di crescita epitassiale, di solito con rivestimento SIC o rivestimento TAC per migliorare la sua conduttività termica e durata.

Applicazione: nell'epitassia del silicio e nell'epitassia a semiconduttore composto, viene utilizzato per garantire il riscaldamento uniforme e la deposizione di wafer.

Ruolo principale del suscettore per MOCVD nell'elaborazione dei semiconduttori:

Supporto del wafer e riscaldamento uniforme:

Funzione: il suscettore viene utilizzato per supportare i wafer nei reattori MOCVD e fornire una distribuzione uniforme del calore attraverso il riscaldamento a induzione o altri metodi per garantire una deposizione di film uniforme.

Conduzione e stabilità del calore:

Funzione: la conduttività termica e la stabilità termica dei materiali del suscettore sono cruciali. Il suscettore con rivestimento con rivestimento SIC e il suscettore rivestito TAC possono mantenere la stabilità nei processi ad alta temperatura a causa della loro alta conducibilità termica e resistenza ad alta temperatura, evitando difetti del film causati da temperatura irregolare.

Resistenza alla corrosione e lunga vita:

Funzione: nel processo MOCVD, il suscettore è esposto a vari gas precursori chimici. Il rivestimento SIC e il rivestimento TAC forniscono un'eccellente resistenza alla corrosione, riducono l'interazione tra la superficie del materiale e il gas di reazione ed estendono la durata del suscettore.

Ottimizzazione dell'ambiente di reazione:

Funzione: utilizzando suscettori di alta qualità, il flusso di gas e il campo di temperatura nel reattore MOCVD sono ottimizzati, garantendo un processo di deposizione di film uniforme e migliorando la resa e le prestazioni del dispositivo. Di solito viene utilizzato nei suscettori per i reattori MOCVD e l'attrezzatura MOCVD Aixtron.

Caratteristiche del prodotto e vantaggi tecnici：

Alta conducibilità termica e stabilità termica:

Caratteristiche: i suscettori con rivestimento SIC e TAC hanno una conduttività termica estremamente elevata, può distribuire rapidamente e uniformemente il calore e mantenere la stabilità strutturale ad alte temperature per garantire il riscaldamento uniforme dei wafer.

Vantaggi: adatto a processi MOCVD che richiedono un controllo preciso della temperatura, come la crescita epitassiale di semiconduttori composti come il nitruro di gallio (GAN) e l'arsenuro di gallio (GAAS).

Eccellente resistenza alla corrosione:

Caratteristiche: il rivestimento SIC CVD e il rivestimento TAC CVD hanno un'inertezza chimica estremamente elevata e possono resistere alla corrosione da gas altamente corrosivi come cloruri e fluoruri, proteggendo il substrato del suscettore dai danni.

Vantaggi: prolungare la durata del suscettore, ridurre la frequenza di manutenzione e migliorare l'efficienza complessiva del processo MOCVD.

Alta resistenza meccanica e durezza:

Caratteristiche: l'elevata durezza e la resistenza meccanica dei rivestimenti SIC e TAC consentono al suscettore di resistere allo stress meccanico in ambienti ad alta temperatura e ad alta pressione e mantenere la stabilità e la precisione a lungo termine.

Vantaggi: particolarmente adatti per i processi di produzione di semiconduttori che richiedono un'elevata precisione, come la crescita epitassiale e la deposizione di vapore chimico.

Prospettive di applicazione e sviluppo del mercato

Suscettori MOCVDsono ampiamente utilizzati nella produzione di LED ad alta luminosità, dispositivi elettronici di potenza (come HeMT a base di GAN), celle solari e altri dispositivi optoelettronici. Con la crescente domanda di prestazioni più elevate e più bassi dispositivi a semiconduttore al consumo di energia, la tecnologia MOCVD continua ad avanzare, guidando l'innovazione nei materiali e nei progetti di suscettori. Ad esempio, sviluppare una tecnologia di rivestimento SIC con una maggiore purezza e una minore densità di difetto e ottimizzare la progettazione strutturale del suscettore per adattarsi a wafer più grandi e processi epitassiali multistrato più complessi.

Vetek Semiconductor Technology Co., Ltd è un fornitore leader di materiali di rivestimento avanzato per l'industria dei semiconduttori. La nostra azienda si concentra sullo sviluppo di soluzioni all'avanguardia per l'industria.

Le nostre principali offerte di prodotti includono rivestimenti in carburo di silicio CVD (SIC), rivestimenti in carburo di Tantalum (TAC), SIC alla rinfusa, polveri SIC e materiali SIC ad alta purezza, Sic con rivestimento di grafite Susceptor, PresEat Anges, TAC Anello di diversione, parti di mezzacola, ecc.

Vetek Semiconductor si concentra sullo sviluppo di soluzioni di tecnologia e sviluppo del prodotto all'avanguardia per l'industria dei semiconduttori. Speriamo sinceramente di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina.