Suscettore rivestito in TaC CVD

Definizione e composizione del prodotto

Il susceptor rivestito TaC VETEK CVD è un componente porta wafer di fascia alta utilizzato specificatamente per l'elaborazione epitassiale di semiconduttori di terza generazione (SiC, GaN, AlN). Questo prodotto unisce i vantaggi fisici di due materiali ad alte prestazioni:

Substrato di grafite ad elevata purezza: Utilizza un processo di stampaggio a pressatura isostatica per garantire che il substrato possieda resistenza strutturale superiore, alta densità e stabilità al trattamento termico.

Rivestimento TaC CVD: Sulla superficie della grafite viene sviluppato uno strato protettivo denso e privo di tensioni di carburo di tantalio (TaC) attraverso la tecnologia avanzata di deposizione chimica in fase vapore (CVD).

Vantaggi tecnici principali: Straordinaria adattabilità agli ambienti estremi

Nel processo MOCVD, il rivestimento TaC non è solo uno strato protettivo fisico ma anche il nucleo per garantire la ripetibilità del processo:

Tolleranza alle temperature estremamente elevate: TaC ha un punto di fusione fino a 3880°C, mantenendo un'eccellente stabilità della forma anche nei processi epitassiali a temperature ultra elevate superiori a 1600°C.

Eccellente resistenza alla corrosione: In ambienti fortemente riducenti contenenti NH₃ (ammoniaca) o H₂ (idrogeno), il tasso di corrosione del TaC è estremamente basso, prevenendo efficacemente la perdita di substrato e la precipitazione di impurità.

Garanzia di purezza ultra elevata: La purezza del rivestimento arriva fino al 99,9995%. La sua struttura densa sigilla completamente i micropori di grafite, garantendo che il film epitassiale raggiunga livelli di impurità estremamente bassi.

Distribuzione precisa del campo termico: La tecnologia di controllo ottimizzato del rivestimento di VETEK garantisce che la differenza di temperatura della superficie del suscettore sia controllata entro ±2°C, migliorando significativamente lo spessore e la consistenza della lunghezza d'onda dello strato epitassiale del wafer.

Parametri tecnici

Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica:

Campi di applicazione principali

Crescita epitassiale SiC (carburo di silicio).: Supporta la produzione di dispositivi di potenza SiC da 6 pollici, 8 pollici e dimensioni maggiori.

Dispositivi basati su GaN (nitruro di gallio).: Utilizzato nei processi MOCVD per LED ad alta luminosità, dispositivi di alimentazione HEMT e chip RF.

AlN (nitruro di alluminio) e crescita UVC: Fornisce soluzioni portanti a temperature estremamente elevate (1400°C+) per materiali con bandgap ultra ampio come i LED Deep UV.

Supporto alla ricerca personalizzato: Si adatta alle esigenze di personalizzazione di precisione degli istituti di ricerca per varie parti irregolari e dischi multiforo.

Modelli compatibili e servizi di personalizzazione

VETEK possiede precise capacità di lavorazione meccanica e rivestimento, adattandosi perfettamente alle principali apparecchiature MOCVD globali:

AIXTRON: Supporta vari dischi e basi di rotazione planetaria.

Veeco: Supporta K465i, Propel e altre serie di suscettori verticali.