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Anello deflettore rivestito
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Anello deflettore rivestito

L'anello deflettore rivestito TAC di Vetek Semiconductor è un componente altamente specializzato progettato per i processi di crescita dei cristalli SIC. Il rivestimento TAC fornisce un'eccellente resistenza ad alta temperatura e inerzia chimica per far fronte alle alte temperature e agli ambienti corrosivi durante il processo di crescita dei cristalli. Ciò garantisce prestazioni stabili e lunga durata del componente, riducendo la frequenza di sostituzione e tempi di inattività. Ci impegniamo a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di essere il tuo partner a lungo termine in Cina. Ben per consultare in qualsiasi momento.

Vetek Semiconductor è un produttore e fornitore di anelli deflettori rivestiti in Cina TAC. Il nostro anello di deflettore rivestito TAC sono componenti altamente specializzati progettati per l'uso nei processi di crescita dei cristalli SIC. Questi componenti sono fondamentali in ambienti che richiedono una resistenza ad alta temperatura, una durata eccezionale e l'inerzia chimica senza pari.

L'anello deflettore rivestito TAC è prodotto con carburo di tantalum ad alta purezza, che offre un'eccellente conduttività termica e un'estrema resistenza alle alte temperature e alle shock termici. Il rivestimento TAC del componente fornisce un ulteriore strato di protezione contro le sostanze chimiche aggressive e gli ambienti difficili comuni nella crescita dei cristalli. La presenza del rivestimento aumenta la durata e la vita del componente, mantenendo prestazioni coerenti su più cicli.

L'anello deflettore rivestito TAC può resistere a temperature fino a 2200 ° C, rendendolo ideale per i processi ad alta temperatura. L'anello deflettore rivestito TAC viene utilizzato principalmente nel settore dei semiconduttori, specificamente per la crescita cristallina del carburo di silicio. Adatto sia per la ricerca che per i reattori di crescita cristallina su scala industriale.


Parametro del prodotto dell'anello deflettore rivestito TAC

Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità 14.3 (g/cm³)
Emissività specifica 0.3
Coefficiente di espansione termica 6,3 × 10-6/K
Durezza (HK) 2000 HK
Resistenza 1 × 10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
La dimensione della grafite cambia -10 ~ -20um
Spessore del rivestimento ≥20um Valore tipico (35um ± 10um)


Confronta il negozio di produzione di semiconduttori :

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Panoramica della catena dell'industria dell'epitassia del chip a semiconduttore:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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