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Supporto per wafer al quarzo ad alta purezza
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Supporto per wafer al quarzo ad alta purezza

I supporti per wafer al quarzo ad alta purezza di VeTek Semiconductor sono dispositivi di precisione progettati per semiconduttori per la gestione stabile dei wafer nei processi termici ad alta temperatura, deposizione di film sottile, processi a umido e applicazioni sotto vuoto. Realizzati in quarzo fuso deidrossilato di grado semiconduttore (equivalente a JGS2), questi supporti per wafer offrono purezza ultraelevata, eccellente resistenza agli shock termici, inerzia chimica, basso degassamento ed elevata planarità, garantendo un supporto affidabile e privo di contaminazioni per substrati di silicio, SiC, GaN e zaffiro da 2-12 pollici.

1. Caratteristiche principali e vantaggi

Quarzo fuso deidrossilato ad altissima purezza (SiO₂ ≥ 99,999%) con impurità metalliche controllate a livelli ppb, riducendo al minimo la contaminazione dei wafer

Temperatura operativa a lungo termine fino a 1100 °C; resistenza ai picchi a breve termine fino a 1200 °C

Eccellente resistenza agli shock termici e stabilità dimensionale in caso di frequenti variazioni di temperatura

Forte inerzia chimica contro i gas di processo ossidanti e le comuni sostanze chimiche del processo a umido (HF, H₂O₂, acidi/alcali)

Elevata planarità e superficie rettificata di precisione con bordi arrotondati per un supporto uniforme del wafer e danni ridotti ai bordi

Basso degassamento del vuoto e basso assorbimento superficiale: adatto per processi di vuoto di precisione

Strutture completamente personalizzabili: supporti solidi, design perforati/ventilati, caratteristiche di posizionamento a gradini, fori di posizionamento, supporti multipunto e design antideformazione ispessiti per wafer da 2-12 pollici

2. Applicazioni tipiche

Questi supporti vengono utilizzati ovunque i wafer necessitino di un supporto pulito e dimensionalmente stabile in condizioni di temperatura elevata o sostanze chimiche aggressive:

Caricamento forni di diffusione e ricottura

Supporto al processo di crescita del film PECVD e LPCVD

Camera a vuoto e attrezzature di processo ad alta temperatura

Supporti per stazioni di asciugatura post-etch e wet-clean

Elaborazione termica dei dispositivi di potenza SiC e GaN

Manipolazione di substrati optoelettronici e strumenti termici di laboratorio

3. Parametri tecnici chiave

Materiale di base: quarzo fuso deidrossilato di grado semiconduttore, SiO₂ ≥ 99,999%

Dimensioni wafer compatibili: 2, 4, 6, 8 e 12 pollici (Si, SiC, GaN, zaffiro)

Intervallo di temperatura continua consigliato: da −20 °C a 1100 °C; picco a breve termine fino a circa 1200 °C

Percorso di produzione: formatura di un pezzo, rettifica superficiale di precisione, arrotondamento dei bordi, ricottura di distensione e pulizia finale ultra pulita

Configurazioni disponibili: geometrie solide, ventilate/perforate, con posizionamento a gradini, con motivo a fori e completamente personalizzate

Focus sulle prestazioni: elevata purezza, stabilità termica, resistenza alla corrosione, planarità superficiale, basso degassamento e mantenimento dimensionale a lungo termine

Ambito di personalizzazione: dimensioni esterne, spessore, geometria del supporto, disposizione dei fori e caratteristiche speciali basate sui disegni del cliente

4. Perché scegliere i trasportatori per wafer al quarzo ad alta purezza VeTek?

In qualità di produttore professionale di componenti semiconduttori al quarzo, VeTek Semiconductor offre:

Supporti per wafer al quarzo ad elevata purezza progettati per ambienti termici, sotto vuoto e con processi umidi

Controllo rigoroso della purezza, planarità della superficie e pulizia adatti alla produzione avanzata di semiconduttori

Personalizzazione completa e design compatibili con OEM per attrezzature per forni, camere e stazioni di processo

Prodotti complementari al quarzo semiconduttori tra cui tubi di forni, contenitori per wafer, crogioli e altri componenti di processo

I nostri supporti per wafer al quarzo ad elevata purezza aiutano a mantenere un contatto termico uniforme, riducono la contaminazione di particelle e metalli e prolungano la durata degli utensili in condizioni di processo corrosive e ad alta temperatura continua, supportando una resa più elevata e costi di proprietà inferiori nella produzione di semiconduttori.

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