Feltro rigido ad alta purezza

La crescita epitassiale SIC è una tecnologia per la coltivazione di film sottili in carburo di silicio di alta qualità sulla superficie di un substrato. Questo processo è essenziale per la produzione di dispositivi a semiconduttore in carburo di silicio ad alte prestazioni, come dispositivi di alimentazione in carburo di silicio e dispositivi RF in carburo di silicio. In questo processo, l'ambiente di crescita, tra cui temperatura, flusso di gas, pressione e altri parametri, deve essere strettamente controllato per garantire la crescita di strati epitassiali in carburo di silicio di alta qualità di alta qualità con buone proprietà elettriche. Le parti di grafite a mezzallette SIC Coatig sono il componente principale della crescita epitassiale SIC e il fatto che rigido ad alta purezza svolge principalmente il ruolo della conservazione del calore delle parti di grafite a mezzature SIC Coatig.

Il feltro rigido ad alta purezza ha una buona conduttività termica, che può distribuire uniformemente il calore della fonte di riscaldamento attorno alle parti in grafite Halfmoon del rivestimento SiC e ha un buon effetto di conservazione del calore. Durante la crescita epitassiale SiC, può assorbire calore e rilasciarlo lentamente per evitare il surriscaldamento o il raffreddamento eccessivo locale, in modo che la differenza di temperatura sulla superficie del substrato di carburo di silicio sia controllata entro un intervallo molto piccolo e l'uniformità della temperatura possa solitamente raggiungere ±1 - 2℃, che è molto importante per la crescita di uno strato epitassiale di carburo di silicio con spessore uniforme e proprietà elettriche costanti.

Alcuni gas corrosivi, come il silano (SiH4) e il propano (C3H8), vengono utilizzati come gas sorgente di reazione nella crescita epitassiale del SiC. Il feltro rigido ad elevata purezza ha una buona tolleranza a questi gas chimici e può mantenere la sua integrità strutturale durante tutto il ciclo di crescita epitassiale (che può durare ore o addirittura decine di ore). Inoltre, la purezza del feltro rigido ad elevata purezza è superiore al 99,99% e non rilascia sostanze che potrebbero contaminare lo strato epitassiale nell'ambiente di reazione, garantendo così l'elevata purezza dello strato epitassiale in carburo di silicio.

La densità appropriata può garantire la resistenza meccanica e la conduttività termica del feltro rigido ad alta purezza. Pur garantendo la conduttività termica, può ridurre al minimo l'interferenza di fattori esterni sulla crescita epitassiale del SiC.

Rispetto ai tradizionali materiali ceramici e metallici, il feltro rigido in grafite ad elevata purezza ha una migliore conduttività termica e stabilità chimica ed è un eccellente materiale componente ausiliario per la crescita epitassiale SiC.

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