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Mezzalmo epi di lpe siic
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Mezzalmo epi di lpe siic

LPE SIC EPI Halfmoon è un design speciale per la fornace epitassia orizzonazionale, un prodotto rivoluzionario progettato per elevare i processi di epitassia SIC del reattore del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni e efficienza superiori durante le operazioni di produzione. VETEK Semiconductor è professionale nella produzione di mezzamola EPI LPE SIC in 6 pollici, 8 pollici.

In qualità di produttore e fornitore professionale di LPE SiC Epi Halfmoon, VeTek Semiconductor desidera fornirvi LPE SiC Epi Halfmoon di alta qualità.


LPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor, un prodotto rivoluzionario progettato per migliorare i processi di epitassia SiC del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni ed efficienza superiori in tutte le operazioni di produzione.


La mezzaluna EPI LPE SIC offre una precisione e una precisione eccezionali, garantendo una crescita uniforme e strati epitassiali di alta qualità. La sua progettazione innovativa e tecniche di produzione avanzate forniscono un supporto ottimale del wafer e una gestione termica, fornendo risultati coerenti e minimizzando i difetti. Inoltre, la mezzaluna EPI LPE SIC è rivestita con uno strato di carburo di tantalum premium (TAC), migliorando le sue prestazioni e la sua durata. Questo rivestimento TAC migliora significativamente la conduttività termica, la resistenza chimica e la resistenza all'usura, salvaguardando il prodotto e estendendo la sua durata.


L'integrazione del rivestimento TAC nella mezzaluna EPI LPE SIC offre significativi miglioramenti al flusso di processo. Migliora la gestione termica, garantendo un'efficace dissipazione del calore e mantenendo una temperatura di crescita stabile. Questo miglioramento porta a una migliore stabilità del processo, ridotta stress termico e resa complessiva migliorata. Inoltre, il rivestimento TaC riduce al minimo la contaminazione del materiale, consentendo una pulizia più pulita e altro ancora processo di epitassia controllata. Agisce come barriera contro reazioni e impurità indesiderate, con conseguenti livelli epitassiali di purezza più elevata e prestazioni del dispositivo migliorate.


Scegli LPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor per processi di epitassia senza rivali. Sperimenta i vantaggi del suo design avanzato, della precisione e del potere di trasformazione diRivestimento TACNell'ottimizzare le operazioni di produzione. Eleva le tue prestazioni e ottieni risultati eccezionali con la soluzione leader del settore di Vetek Semiconductor.


Parametro del prodotto della mezzalmo EPI LPE

Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità di rivestimento 14.3 (g/cm³)
Emissività specifica 0.3
Coefficiente di dilatazione termica 6,3*10-6/K
Durezza del rivestimento TaC (HK) 2000 HK
Resistenza 1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
La dimensione della grafite cambia -10 ~ -20um
Spessore del rivestimento Valore tipico ≥20um (35um±10um)


Confronta il negozio di produzione a semicmoon Epi semiconduttore

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Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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