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L'anello di focalizzazione in carburo di silicio solido (SiC) Veteksemicon è un componente di consumo critico utilizzato nei processi avanzati di epitassia dei semiconduttori e di incisione al plasma, dove il controllo preciso della distribuzione del plasma, dell'uniformità termica e degli effetti dei bordi del wafer è essenziale. Realizzato in carburo di silicio solido di elevata purezza, questo anello di messa a fuoco presenta un'eccezionale resistenza all'erosione da plasma, stabilità alle alte temperature e inerzia chimica, consentendo prestazioni affidabili in condizioni di processo aggressive. Attendiamo con ansia la tua richiesta.

La crescita dei cristalli di carburo di silicio è un processo fondamentale nella produzione di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni. La stabilità, la precisione e la compatibilità delle apparecchiature per la crescita dei cristalli determinano direttamente la qualità e la resa dei lingotti di carburo di silicio. Basandosi sulle caratteristiche della tecnologia Physical Vapor Transport (PVT), Veteksemi ha sviluppato un forno di riscaldamento a resistenza per la crescita dei cristalli di carburo di silicio, consentendo una crescita stabile di cristalli di carburo di silicio da 6 pollici, 8 pollici e 12 pollici con piena compatibilità con sistemi di materiali conduttivi, semiisolanti e di tipo N. Attraverso il controllo preciso di temperatura, pressione e potenza, riduce efficacemente i difetti dei cristalli come EPD (Etch Pit Density) e BPD (Basal Plane Dislocation), presentando al contempo un basso consumo energetico e un design compatto per soddisfare gli elevati standard della produzione industriale su larga scala.

La tecnologia di incollaggio dei semi SiC è uno dei processi chiave che influenzano la crescita dei cristalli. VETEK ha sviluppato un forno specializzato per pressatura a caldo sotto vuoto per l'incollaggio dei semi in base alle caratteristiche di questo processo. Il forno può ridurre efficacemente vari difetti generati durante il processo di incollaggio del seme, migliorando così la resa e la qualità finale del lingotto cristallino.

La camera del reattore epitassiale rivestito in SiC di Veteksemicon è un componente principale progettato per processi di crescita epitassiale impegnativi di semiconduttori. Utilizzando la deposizione chimica in fase vapore (CVD) avanzata, questo prodotto forma un rivestimento SiC denso e di elevata purezza su un substrato di grafite ad alta resistenza, garantendo stabilità alle alte temperature e resistenza alla corrosione superiori. Resiste efficacemente agli effetti corrosivi dei gas reagenti in ambienti di processo ad alta temperatura, sopprime in modo significativo la contaminazione da particolato, garantisce una qualità costante del materiale epitassiale e una resa elevata e prolunga sostanzialmente il ciclo di manutenzione e la durata della camera di reazione. Si tratta di una scelta fondamentale per migliorare l'efficienza produttiva e l'affidabilità dei semiconduttori ad ampio gap di banda come SiC e GaN.

La Silicon Cassette Boat di Veteksemicon è un supporto per wafer di precisione sviluppato appositamente per applicazioni in forni per semiconduttori ad alta temperatura, tra cui ossidazione, diffusione, drive-in e ricottura. Realizzato in silicio di altissima purezza e rifinito secondo standard avanzati di controllo della contaminazione, fornisce una piattaforma termicamente stabile e chimicamente inerte che si avvicina molto alle proprietà dei wafer di silicio stessi. Questo allineamento riduce al minimo lo stress termico, riduce la formazione di scivolamenti e difetti e garantisce una distribuzione del calore eccezionalmente uniforme in tutto il lotto

Nel processo principale della crescita epitassiale del carburo di silicio, Veteksemicon comprende che le prestazioni del suscettore determinano direttamente la qualità e l'efficienza produttiva dello strato epitassiale. I nostri suscettori EPI ad elevata purezza, progettati specificamente per il campo SiC, utilizzano uno speciale substrato di grafite e un denso rivestimento SiC CVD. Grazie alla loro stabilità termica superiore, all'eccellente resistenza alla corrosione e al tasso di generazione di particelle estremamente basso, garantiscono spessore e uniformità di drogaggio senza precedenti per i clienti anche in ambienti di processo difficili ad alta temperatura. Scegliere Veteksemicon significa scegliere il fondamento di affidabilità e prestazioni per i vostri processi di produzione avanzati di semiconduttori.