Prodotti
Camera del reattore epitassiale rivestita in SiC
  • Camera del reattore epitassiale rivestita in SiCCamera del reattore epitassiale rivestita in SiC

Camera del reattore epitassiale rivestita in SiC

La camera del reattore epitassiale rivestito in SiC di Veteksemicon è un componente principale progettato per processi di crescita epitassiale impegnativi di semiconduttori. Utilizzando la deposizione chimica in fase vapore (CVD) avanzata, questo prodotto forma un rivestimento SiC denso e di elevata purezza su un substrato di grafite ad alta resistenza, garantendo stabilità alle alte temperature e resistenza alla corrosione superiori. Resiste efficacemente agli effetti corrosivi dei gas reagenti in ambienti di processo ad alta temperatura, sopprime in modo significativo la contaminazione da particolato, garantisce una qualità costante del materiale epitassiale e una resa elevata e prolunga sostanzialmente il ciclo di manutenzione e la durata della camera di reazione. Si tratta di una scelta fondamentale per migliorare l'efficienza produttiva e l'affidabilità dei semiconduttori ad ampio gap di banda come SiC e GaN.

Informazioni generali sul prodotto

Luogo di origine:
Cina
Marchio:
Il mio rivale
Numero di modello:
Camera del reattore epitassiale rivestita in SiC-01
Certificazione:
ISO9001

Termini commerciali del prodotto

Quantità minima di ordine:
Soggetto a negoziazione
Prezzo:
Contatto per preventivo personalizzato
Dettagli dell'imballaggio:
Pacchetto di esportazione standard
Tempi di consegna:
Tempi di consegna: 30-45 giorni dalla conferma dell'ordine
Termini di pagamento:
T/T
Capacità di fornitura:
100 unità/mese

Applicazione: La camera del reattore epitassiale rivestita in SiC di Veteksemicon è progettata per processi epitassiali impegnativi a semiconduttore. Fornendo un ambiente ad alta temperatura estremamente puro e stabile, migliora significativamente la qualità dei wafer epitassiali SiC e GaN, rendendoli una pietra angolare fondamentale per la produzione di chip di potenza e dispositivi RF ad alte prestazioni.

Servizi che possono essere forniti: analisi dello scenario applicativo del cliente, abbinamento dei materiali, risoluzione dei problemi tecnici.

Profilo Aziendale:Veteksemicon dispone di 2 laboratori, un team di esperti con 20 anni di esperienza sui materiali, con capacità di ricerca e sviluppo e produzione, test e verifica.


Parametri tecnici

Progetto
Parametro
Materiale di base
Grafite ad alta resistenza
Processo di rivestimento
Rivestimento SiC CVD
Spessore del rivestimento
La personalizzazione è disponibile per soddisfare il processo del clienterequisiti (valore tipico: 100±20μm).
Purezza
> 99,9995% (rivestimento SiC)
Temperatura massima di esercizio
> 1650°C
conduttività termica
120 W/m·K
Processi applicabili
Epitassia SiC, epitassia GaN, MOCVD/CVD
Dispositivi compatibili
Reattori epitassiali tradizionali (come Aixtron e ASM)


Vantaggi del nucleo della camera del reattore epitassiale rivestito in SiC di Il mio rivale


1. Eccellente resistenza alla corrosione

La camera di reazione di Veteksemicon utilizza un processo CVD proprietario per depositare un rivestimento di carburo di silicio estremamente denso e di elevata purezza sulla superficie del substrato. Questo rivestimento resiste efficacemente all'erosione di gas corrosivi ad alta temperatura come HCl e H2, comunemente riscontrati nei processi epitassiali SiC, risolvendo sostanzialmente i problemi di porosità superficiale e di distacco di particelle che possono verificarsi nei tradizionali componenti in grafite dopo un uso a lungo termine. Questa caratteristica garantisce che la parete interna della camera di reazione rimanga liscia anche dopo centinaia di ore di funzionamento continuo, riducendo significativamente i difetti dei wafer causati dalla contaminazione della camera.


2. Stabilità alle alte temperature

Grazie alle eccellenti proprietà termiche del carburo di silicio, questa camera di reazione può facilmente resistere a temperature di funzionamento continuo fino a 1600°C. Il suo coefficiente di dilatazione termica estremamente basso garantisce che i componenti riducano al minimo l'accumulo di stress termico durante ripetuti riscaldamenti e raffreddamenti rapidi, prevenendo microfessure o danni strutturali causati dalla fatica termica. Questa eccezionale stabilità termica fornisce una finestra di processo cruciale e una garanzia di affidabilità per i processi epitassiali, in particolare l'omeepitassia SiC che richiede ambienti ad alta temperatura.


3. Elevata purezza e basso inquinamento

Siamo profondamente consapevoli dell'impatto decisivo della qualità dello strato epitassiale sulle prestazioni del dispositivo finale. Pertanto, Veteksemicon persegue la massima purezza possibile del rivestimento, garantendo che raggiunga un livello superiore al 99,9995%. Una purezza così elevata sopprime efficacemente la migrazione delle impurità metalliche (come Fe, Cr, Ni, ecc.) nell'atmosfera del processo ad alte temperature, evitando così l'impatto fatale di queste impurità sulla qualità del cristallo dello strato epitassiale. Ciò costituisce una solida base materiale per la produzione di semiconduttori di potenza e dispositivi a radiofrequenza ad alte prestazioni e affidabilità.


4. Progettazione di lunga durata

Rispetto ai componenti in grafite non rivestiti o convenzionali, le camere di reazione protette dai rivestimenti SiC offrono una durata molto più lunga. Ciò è dovuto principalmente alla protezione completa del substrato da parte del rivestimento, che impedisce il contatto diretto con i gas di processo corrosivi. Questa maggiore durata si traduce direttamente in significativi vantaggi in termini di costi: i clienti possono ridurre sostanzialmente i tempi di fermo delle apparecchiature, l'approvvigionamento di pezzi di ricambio e i costi di manodopera di manutenzione associati alla sostituzione periodica dei componenti della camera, riducendo così di fatto i costi operativi di produzione complessivi.


5. Approvazione della verifica della catena ecologica

La verifica della catena ecologica della camera del reattore epitassiale rivestita in SiC di Veteksemicon copre le materie prime fino alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e dispone di una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei campi dei semiconduttori e delle nuove energie.


Per specifiche tecniche dettagliate, white paper o modalità di test dei campioni, contatta il nostro team di supporto tecnico per esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza del tuo processo.


Principali campi di applicazione

Direzione dell'applicazione
Scenario tipico
Produzione di semiconduttori di potenza
MOSFET SiC e crescita epitassiale di diodi
Dispositivi RF
Processo epitassiale del dispositivo RF GaN-on-SiC
Optoelettronica
Elaborazione di substrati epitassiali LED e laser

Tag caldi: Camera del reattore epitassiale rivestita in SiC
Invia richiesta
Informazioni di contatto
Per domande sul rivestimento in carburo di silicio, rivestimento in carburo di tantalio, grafite speciale o listino prezzi, lasciaci la tua e-mail e ti contatteremo entro 24 ore.
X
Utilizziamo i cookie per offrirti una migliore esperienza di navigazione, analizzare il traffico del sito e personalizzare i contenuti. Utilizzando questo sito, accetti il ​​nostro utilizzo dei cookie. politica sulla riservatezza
Rifiutare Accettare