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Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Informazioni generali sul prodotto
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Luogo di origine: |
Cina |
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Marchio: |
Il mio rivale |
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Numero di modello: |
Camera del reattore epitassiale rivestita in SiC-01 |
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Certificazione: |
ISO9001 |
Termini commerciali del prodotto
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Quantità minima di ordine: |
Soggetto a negoziazione |
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Prezzo: |
Contatto per preventivo personalizzato |
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Dettagli dell'imballaggio: |
Pacchetto di esportazione standard |
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Tempi di consegna: |
Tempi di consegna: 30-45 giorni dalla conferma dell'ordine |
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Termini di pagamento: |
T/T |
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Capacità di fornitura: |
100 unità/mese |
Applicazione: La camera del reattore epitassiale rivestita in SiC di Veteksemicon è progettata per processi epitassiali impegnativi a semiconduttore. Fornendo un ambiente ad alta temperatura estremamente puro e stabile, migliora significativamente la qualità dei wafer epitassiali SiC e GaN, rendendoli una pietra angolare fondamentale per la produzione di chip di potenza e dispositivi RF ad alte prestazioni.
Servizi che possono essere forniti: analisi dello scenario applicativo del cliente, abbinamento dei materiali, risoluzione dei problemi tecnici.
Profilo Aziendale:Veteksemicon dispone di 2 laboratori, un team di esperti con 20 anni di esperienza sui materiali, con capacità di ricerca e sviluppo e produzione, test e verifica.
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Progetto |
Parametro |
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Materiale di base |
Grafite ad alta resistenza |
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Processo di rivestimento |
Rivestimento SiC CVD |
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Spessore del rivestimento |
La personalizzazione è disponibile per soddisfare il processo del clienterequisiti (valore tipico: 100±20μm). |
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Purezza |
> 99,9995% (rivestimento SiC) |
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Temperatura massima di esercizio |
> 1650°C |
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conduttività termica |
120 W/m·K |
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Processi applicabili |
Epitassia SiC, epitassia GaN, MOCVD/CVD |
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Dispositivi compatibili |
Reattori epitassiali tradizionali (come Aixtron e ASM) |
1. Eccellente resistenza alla corrosione
La camera di reazione di Veteksemicon utilizza un processo CVD proprietario per depositare un rivestimento di carburo di silicio estremamente denso e di elevata purezza sulla superficie del substrato. Questo rivestimento resiste efficacemente all'erosione di gas corrosivi ad alta temperatura come HCl e H2, comunemente riscontrati nei processi epitassiali SiC, risolvendo sostanzialmente i problemi di porosità superficiale e di distacco di particelle che possono verificarsi nei tradizionali componenti in grafite dopo un uso a lungo termine. Questa caratteristica garantisce che la parete interna della camera di reazione rimanga liscia anche dopo centinaia di ore di funzionamento continuo, riducendo significativamente i difetti dei wafer causati dalla contaminazione della camera.
2. Stabilità alle alte temperature
Grazie alle eccellenti proprietà termiche del carburo di silicio, questa camera di reazione può facilmente resistere a temperature di funzionamento continuo fino a 1600°C. Il suo coefficiente di dilatazione termica estremamente basso garantisce che i componenti riducano al minimo l'accumulo di stress termico durante ripetuti riscaldamenti e raffreddamenti rapidi, prevenendo microfessure o danni strutturali causati dalla fatica termica. Questa eccezionale stabilità termica fornisce una finestra di processo cruciale e una garanzia di affidabilità per i processi epitassiali, in particolare l'omeepitassia SiC che richiede ambienti ad alta temperatura.
3. Elevata purezza e basso inquinamento
Siamo profondamente consapevoli dell'impatto decisivo della qualità dello strato epitassiale sulle prestazioni del dispositivo finale. Pertanto, Veteksemicon persegue la massima purezza possibile del rivestimento, garantendo che raggiunga un livello superiore al 99,9995%. Una purezza così elevata sopprime efficacemente la migrazione delle impurità metalliche (come Fe, Cr, Ni, ecc.) nell'atmosfera del processo ad alte temperature, evitando così l'impatto fatale di queste impurità sulla qualità del cristallo dello strato epitassiale. Ciò costituisce una solida base materiale per la produzione di semiconduttori di potenza e dispositivi a radiofrequenza ad alte prestazioni e affidabilità.
4. Progettazione di lunga durata
Rispetto ai componenti in grafite non rivestiti o convenzionali, le camere di reazione protette dai rivestimenti SiC offrono una durata molto più lunga. Ciò è dovuto principalmente alla protezione completa del substrato da parte del rivestimento, che impedisce il contatto diretto con i gas di processo corrosivi. Questa maggiore durata si traduce direttamente in significativi vantaggi in termini di costi: i clienti possono ridurre sostanzialmente i tempi di fermo delle apparecchiature, l'approvvigionamento di pezzi di ricambio e i costi di manodopera di manutenzione associati alla sostituzione periodica dei componenti della camera, riducendo così di fatto i costi operativi di produzione complessivi.
5. Approvazione della verifica della catena ecologica
La verifica della catena ecologica della camera del reattore epitassiale rivestita in SiC di Veteksemicon copre le materie prime fino alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e dispone di una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei campi dei semiconduttori e delle nuove energie.
Per specifiche tecniche dettagliate, white paper o modalità di test dei campioni, contatta il nostro team di supporto tecnico per esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza del tuo processo.
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Direzione dell'applicazione |
Scenario tipico |
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Produzione di semiconduttori di potenza |
MOSFET SiC e crescita epitassiale di diodi |
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Dispositivi RF |
Processo epitassiale del dispositivo RF GaN-on-SiC |
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Optoelettronica |
Elaborazione di substrati epitassiali LED e laser |
Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
tel


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