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Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Informazioni generali sul prodotto
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Luogo di origine: |
Cina |
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Marchio: |
Il mio rivale |
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Numero di modello: |
Ricevitore EPI Parte-01 |
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Certificazione: |
ISO9001 |
Termini commerciali del prodotto
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Quantità minima di ordine: |
Soggetto a negoziazione |
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Prezzo: |
Contatto per preventivo personalizzato |
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Dettagli dell'imballaggio: |
Pacchetto di esportazione standard |
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Tempi di consegna: |
Tempi di consegna: 30-45 giorni dalla conferma dell'ordine |
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Termini di pagamento: |
T/T |
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Capacità di fornitura: |
100 unità/mese |
✔ Applicazione: Nel perseguimento delle massime prestazioni e resa nei processi epitassiali SiC, Veteksemicon EPI Susceptor fornisce eccellente stabilità termica e uniformità, diventando un supporto chiave per migliorare le prestazioni dei dispositivi di potenza e RF e ridurre i costi complessivi.
✔ Servizi che possono essere forniti: analisi dello scenario applicativo del cliente, abbinamento dei materiali, risoluzione dei problemi tecnici.
✔ Profilo Aziendale:Veteksemicon dispone di 2 laboratori, un team di esperti con 20 anni di esperienza sui materiali, con capacità di ricerca e sviluppo e produzione, test e verifica.
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progetto |
parametro |
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Materiale di base |
Grafite isostatica di elevata purezza |
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Materiale di rivestimento |
SiC CVD di elevata purezza |
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Spessore del rivestimento |
È disponibile la personalizzazione per soddisfare i requisiti del processo del cliente (valore tipico: 100±20μm). |
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Purezza |
> 99,9995% (rivestimento SiC) |
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Temperatura massima di esercizio |
> 1650°C |
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Coefficiente di dilatazione termica |
Buon abbinamento con i wafer SiC |
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Rugosità superficiale |
Ra < 1,0 μm (regolabile su richiesta) |
1. Garantire la massima uniformità
Nei processi epitassiali del carburo di silicio, anche le fluttuazioni di spessore a livello di micron e le disomogeneità del drogaggio influiscono direttamente sulle prestazioni e sulla resa del dispositivo finale. Veteksemicon EPI Susceptor raggiunge una distribuzione ottimale del campo termico all'interno della camera di reazione attraverso una precisa simulazione termodinamica e una progettazione strutturale. La nostra selezione di un substrato ad alta conduttività termica, combinato con un processo di trattamento superficiale unico, garantisce che le differenze di temperatura in qualsiasi punto della superficie del wafer siano controllate entro un intervallo estremamente ridotto anche in condizioni di rotazione ad alta velocità e ambienti ad alta temperatura. Il valore diretto che ciò comporta è uno strato epitassiale batch-to-batch altamente riproducibile con eccellente uniformità, che pone solide basi per la produzione di chip di potenza ad alte prestazioni e altamente coerenti.
2. Resistere alla sfida delle alte temperature
I processi epitassiali SiC richiedono tipicamente un funzionamento prolungato a temperature superiori a 1500°C, rappresentando una sfida seria per qualsiasi materiale. Veteksemicon Susceptor utilizza grafite pressata isostaticamente trattata in modo speciale, la cui resistenza alla flessione alle alte temperature e alla resistenza allo scorrimento superano di gran lunga quelle della grafite ordinaria. Anche dopo centinaia di ore di cicli termici continui ad alta temperatura, il nostro prodotto mantiene la geometria iniziale e la resistenza meccanica, prevenendo efficacemente la deformazione dei wafer, lo slittamento o i rischi di contaminazione della cavità di processo causati dalla deformazione del vassoio, garantendo fondamentalmente la continuità e la sicurezza delle attività produttive.
3. Massimizzare la stabilità del processo
Le interruzioni della produzione e la manutenzione non pianificata rappresentano una delle principali cause di riduzione dei costi nella produzione di wafer. Veteksemicon considera la stabilità del processo un parametro fondamentale per Susceptor. Il nostro rivestimento brevettato CVD SiC è denso, non poroso e ha una superficie liscia a specchio. Ciò non solo riduce significativamente la dispersione delle particelle sotto il flusso d'aria ad alta temperatura, ma rallenta anche significativamente l'adesione dei sottoprodotti della reazione (come il SiC policristallino) alla superficie del vassoio. Ciò significa che la camera di reazione può rimanere pulita per periodi più lunghi, estendendo gli intervalli tra la pulizia e la manutenzione regolari, migliorando così l'utilizzo e la produttività complessivi dell'attrezzatura.
4. Prolungare la durata
Essendo un componente di consumo, la frequenza di sostituzione dei suscettori incide direttamente sui costi operativi di produzione. Veteksemicon estende la durata di vita del prodotto attraverso un duplice approccio tecnologico: "ottimizzazione del substrato" e "miglioramento del rivestimento". Un substrato di grafite ad alta densità e bassa porosità rallenta efficacemente la penetrazione e la corrosione del substrato da parte dei gas di processo; allo stesso tempo, il nostro rivestimento SiC spesso e uniforme agisce come una barriera robusta, sopprimendo in modo significativo la sublimazione alle alte temperature. I test sul campo mostrano che, nelle stesse condizioni di processo, i suscettori Veteksemicon mostrano un tasso di degrado delle prestazioni più lento e una durata di servizio effettiva più lunga, con conseguenti costi operativi per wafer inferiori.
5. Approvazione della verifica della catena ecologica
La verifica della catena ecologica di Veteksemicon EPI Susceptor Part copre le materie prime fino alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e dispone di una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei campi dei semiconduttori e delle nuove energie.
Per specifiche tecniche dettagliate, white paper o modalità di test dei campioni, contatta il nostro team di supporto tecnico per esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza del tuo processo.
Principali campi di applicazione
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Direzione dell'applicazione |
Scenario tipico |
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Elettronica di potenza |
Dispositivi di potenza come MOSFET SiC e diodi Schottky utilizzati nella produzione di veicoli elettrici e azionamenti di motori industriali. |
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Comunicazione in radiofrequenza |
Strati epitassiali per la crescita di dispositivi amplificatori di potenza a radiofrequenza GaN-on-SiC (HEMT RF) per stazioni base 5G e radar. |
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Ricerca e sviluppo all'avanguardia |
Serve allo sviluppo del processo e alla verifica dei materiali semiconduttori e delle strutture dei dispositivi a banda larga di prossima generazione. |
Magazzino prodotti Il mio rivale
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