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Supporto per wafer con rivestimento SiC
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Supporto per wafer con rivestimento SiC

In qualità di produttore e fornitore professionale di supporti per wafer con rivestimento SiC, i supporti per wafer con rivestimento SiC di Vetek Semiconductor vengono utilizzati principalmente per migliorare l'uniformità di crescita dello strato epitassiale, garantendo la loro stabilità e integrità in ambienti ad alta temperatura e corrosivi.

Vetek Semiconductor è specializzata nella produzione e fornitura di supporti per wafer con rivestimento SiC ad alte prestazioni e si impegna a fornire tecnologia avanzata e soluzioni di prodotto all'industria dei semiconduttori.


Nella produzione di semiconduttori, il supporto per wafer di rivestimento SiC di Vetek Semiconductor è un componente chiave nelle apparecchiature per la deposizione chimica in fase vapore (CVD), in particolare nelle apparecchiature per la deposizione chimica in fase vapore organica dei metalli (MOCVD). Il suo compito principale è quello di supportare e riscaldare il substrato monocristallino in modo che lo strato epitassiale possa crescere in modo uniforme. Ciò è essenziale per la produzione di dispositivi a semiconduttore di alta qualità.


La resistenza alla corrosione del rivestimento SiC è molto buona e può proteggere efficacemente la base in grafite dai gas corrosivi. Ciò è particolarmente importante in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Inoltre, anche la conduttività termica del materiale SiC è molto eccellente, poiché può condurre uniformemente il calore e garantire una distribuzione uniforme della temperatura, migliorando così la qualità di crescita dei materiali epitassiali.


Il rivestimento SiC mantiene la stabilità chimica alle alte temperature e in un'atmosfera corrosiva, evitando il problema del cedimento del rivestimento. Ancora più importante, il coefficiente di espansione termica del SiC è simile a quello della grafite, il che può evitare il problema del distacco del rivestimento dovuto all'espansione e contrazione termica e garantire la stabilità e l'affidabilità a lungo termine del rivestimento.


Proprietà fisiche fondamentali diSupporto per wafer con rivestimento SiC:


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria
2~10μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Resistenza alla flessione
415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young
Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)
4,5×10-6K-1


Negozio di produzione:

VeTek Semiconductor Production Shop


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Tag caldi: Supporto per wafer con rivestimento SiC, supporto per wafer in carburo di silicio, supporto per wafer a semiconduttore
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