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Anelli di messa a fuoco in SiC solidi
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Anelli di messa a fuoco in SiC solidi

Progettato per circondare la zona di tracciamento del wafer, il Solid SiC Focus Ring garantisce una distribuzione lineare del plasma e profili di incisione esatti da bordo a centro. Questi componenti β-SiC premium sono costruiti da Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) utilizzando la tecnologia proprietaria Chemical Vapor Deposition (CVD). Vaporizzando le materie prime in una matrice densa e priva di leganti, Vetek elimina i microinterstizi porosi comuni nei materiali più vecchi. Rispetto alla schermatura standard al quarzo o al silicio, i nostri componenti SiC CVD resistono molto meglio ai gas alogeni corrosivi, schermando il wafer in una logica profonda inferiore a 7 nm e nella produzione di chip di memoria densi. Attendiamo con ansia la vostra ulteriore richiesta.

1. Caratteristiche del prodotto


● Purezza (verificato GDMS): > 99,99995% (fino a 6N-7N) | Mantiene la camera priva di rischi legati a tracce di metalli.

● Solidità strutturale: ≥3,21  g/cm3 | Raggiunge la densità teorica; non lascia spazi vuoti dove degassare né microparticelle da nascondere.

● Regolazione termica: 200 - 300 W/m·K | Diffonde rapidamente il calore per mantenere la temperatura del bordo del wafer perfettamente uniforme.

● Gamma elettrica: 0,01 - 10 Ωcm | Resistività adattabile per stabilizzare la guaina al plasma e perfezionare la connessione RF. Rigidità superficiale: ≥ 2500 HV | Resiste all'usura abrasiva durante i cicli continui di attacco a secco.

Solid SiC focus ring Manufacturing Processing



2. Applicazionil 


● Incisione al plasma con processo avanzato

● Processi di deposizione di film sottili (PECVD/ALD)

● Gli anelli di incisione in SiC solido sono materiali di consumo chiave nella produzione avanzata di chip, utilizzati per garantire l'uniformità dei processi dei bordi dei wafer, migliorare la resa e prolungare la durata dei componenti nei processi di incisione e deposizione al plasma.


3. Risoluzione delle vulnerabilità dei Fab


● Problema: tempi di inattività costosi dovuti alla rapida erosione delle parti

La soluzione: la struttura sviluppata tramite CVD di Vetek mostra un ritmo di erosione da 10 a 20 volte più lento del quarzo e da 3 a 5 volte più lento del silicio sfuso. I Fab ottengono cicli di produzione più lunghi e molti meno sfiati nelle camere di emergenza.

● Problema: crollo del rendimento Edge ("Effetto Edge")

La soluzione: l'usura lenta e prevedibile sulla superficie dell'anello impedisce alla guaina al plasma di inclinarsi nel tempo. Ciò preserva gli stretti limiti della dimensione critica (CD) proprio sul perimetro del wafer.

● Problema: picchi di difetti dovuti alla perdita di parti sinterizzate

La soluzione: la nostra sintesi in fase gassosa non lascia alcun legante al bordo del grano o riempitivo metallico. Senza questi punti deboli, l'anello non si sfalderà né causerà difetti di micromascheramento sulla superficie del wafer.


4. Supporto tecnico su misura


● Integrazione drop-in degli strumenti: lavorati su misura per soddisfare le rigorose specifiche di spaziatura dei marchi globali di incisori come Lam, AMAT e TEL.

● Abbinamento della resistività: ottimizziamo il profilo elettrico di ciascun lotto per allinearlo perfettamente ai parametri specifici della ricetta.

● Finiture avanzate: utilizza la planarizzazione chimico-meccanica (CMP) ultra pulita per levigare le superfici ruvide, riducendo il numero di particelle durante la fase iniziale di stagionatura dell'utensile.

● Fattori di forma complessi: manteniamo tolleranze strette (±0,01 mm) su anelli con bordi a più gradini complessi e configurazioni di anelli ad incastro.


Magazzino Vetek Semiconductor:

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