QR Code
Prodotti
Contattaci

Telefono

Fax
+86-579-87223657

E-mail

Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Nella produzione di semiconduttori, ilPlanarizzazione Chimico Meccanica (CMP)Il processo è la fase fondamentale per ottenere la planarizzazione della superficie del wafer, determinando direttamente il successo o il fallimento delle successive fasi di litografia. Essendo il materiale di consumo critico nel CMP, le prestazioni del liquame lucidante sono il fattore fondamentale per controllare il tasso di rimozione (RR), minimizzare i difetti e migliorare la resa complessiva.
Questa guida fornisce un'analisi sistematica del quadro tecnico dei liquami CMP ed esplora come mantenere la stabilità del processo in ambienti di produzione complessi per ottenere una riduzione dei costi e un aumento dell'efficienza.
I. Composizione tipica del liquame CMP
Un tipico impasto CMP è un prodotto sinergico di azione chimica e forza fisico-meccanica, costituito dai seguenti componenti primari:
Abrasivi: forniscono capacità di rimozione meccanica. I tipi comuni includono silice, ceria e allumina di dimensioni nanometriche.
Ossidanti: migliorano la velocità delle reazioni chimiche ossidando la superficie metallica; esempi comuni includono H₂O₂ o sali di ferro.
Agenti chelanti: formano complessi con ioni metallici per facilitarne la dissoluzione.
Inibitori della corrosione: migliorano la selettività dei materiali sopprimendo la corrosione nelle aree non bersaglio.
Additivi: includono regolatori del pH e disperdenti utilizzati per mantenere la finestra di reazione e la stabilità del sistema.
I comportamenti chimico-fisici del liquame devono essere perfettamente abbinati alle caratteristiche del materiale target; in caso contrario, verranno introdotti difetti come graffi, ammaccature e corrosione.①
II. Sistemi di liquame per materiali diversi
Poiché le proprietà dei materiali di vari wafergli strati del film differiscono in modo significativo, i fanghi devono essere personalizzati e mirati:
|
Tipo di materiale target |
Tipo di liquame comune |
Caratteristiche chiave |
|
Biossido di silicio (SiO₂) |
Liquame di silice colloidale |
Tasso di rimozione moderato con elevata selettività |
|
Rame (Cu) |
Sistema composito con ossidanti/chelanti/inibitori |
Suscettibile alla corrosione; guidato principalmente dal controllo chimico |
|
Tungsteno(W) |
Combinazione sale di ferro + abrasivo |
Richiede la soppressione della corrosione e dell'imbutitura; finestra di processo ristretta |
|
Tantalio/nitruro di tantalio (Ta/TaN) |
Liquame ad alta selettività, spesso condiviso con Cu |
Tipicamente abbinato ai processi Rame; requisiti estremamente elevati per il controllo dei difetti |
|
Materiali a basso k |
Sistema di lucidatura chimica senza abrasivi |
Previene le microfessurazioni; alto rischio di rottura della pellicola |
III. Metriche chiave delle prestazioni
Quando si valuta il potenziale di miglioramento dell’efficienza, i seguenti indicatori tecnici sono fondamentali:
Tasso di rimozione (RR): lo spessore del materiale rimosso per unità di tempo (nm/min), che incide direttamente sulla produttività della fabbrica.
Selettività: il rapporto tra il tasso di rimozione del materiale target e quello dei materiali adiacenti; una maggiore selettività protegge meglio gli strati non bersaglio.
Non uniformità all'interno del wafer (WIWNU): misura la consistenza della planarizzazione sulla superficie del wafer.
Difettosità: Include parametri critici che riducono la resa, come graffi e residui di microparticelle.Stabilità Del Liquame: La capacità del liquame di resistere alla striatura, all'agglomerazione o alla sedimentazione durante lo stoccaggio e l'uso.
IV. Migliori pratiche del settore per migliorare la stabilità dei processi
Per ottenere una "riduzione dei costi e un miglioramento dell'efficienza" a lungo termine, le principali aziende di semiconduttori si concentrano sulle seguenti pratiche di gestione della stabilità:
Equilibrio di precisione delle forze chimiche e meccaniche: regolando con precisione il rapporto tra abrasivi e componenti chimici, l'equilibrio della reazione viene mantenuto a livello molecolare, riducendo i difetti di otturazione alla fonte.
Gestione della stabilità e della filtrazione del fluido: il controllo rigoroso delle fluttuazioni del pH all'interno del sistema di circolazione del liquame, combinato con la tecnologia di filtrazione ad alta efficienza, previene la volatilità dei graffi causata dall'agglomerazione delle particelle.
Abbinamento del processo personalizzato: vengono sviluppati fanghi specifici per diverse durezze fisiche (ad esempio, SiC ad alta durezza o materiali fragili a basso k) per massimizzare la finestra del processo.
Standard di monitoraggio della coerenza: la definizione di una rigorosa strategia di controllo dei lotti garantisce che i parametri chiave come RR e WIWNU rimangano coerenti durante tutta la produzione di massa.
Aautore:Sera-Lee
Riferimento:
①Selezione dei liquami CMP: una prospettiva dei materiali – AZoM
②Panoramica sulla chimica dei liquami di planarizzazione chimico-meccanica – Entegris


+86-579-87223657


Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Copyright © 2024 WuYi TianYao Advanced Material Tech.Co.,Ltd. Tutti i diritti riservati.
Links | Sitemap | RSS | XML | politica sulla riservatezza |
