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Suscettore a botte rivestito SIC per LPE PE2061S
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Suscettore a botte rivestito SIC per LPE PE2061S

Come uno dei principali impianti di produzione di suscettori di wafer in Cina, Vetek Semiconductor ha fatto continui progressi nei prodotti del suscettore del wafer ed è diventato la prima scelta per molti produttori di wafer epitassiali. Il suscettore a canna rivestito SIC per LPE PE2061s fornito da Vetek Semiconductor è progettato per i wafer LPE PE2061S 4 ''. Il suscettore ha un rivestimento in carburo di silicio durevole che migliora le prestazioni e la durata durante il processo LPE (fase liquida). Benvenuti alla tua richiesta, non vediamo l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine.


Vetek Semiconductor è un suscettore professionista in barilo rivestito in Cina SIC perLPE PE2061Sproduttore e fornitore.

Il suscettore a barilotto rivestito di SIC a semiconduttore Vetek per LPE PE2061S è un prodotto ad alte prestazioni creato applicando uno strato fine di carburo di silicio sulla superficie della grafite isotropica altamente purificata. Ciò si ottiene attraverso il proprietario di Vetek SemiconductorDeposizione di vapore chimico (CVD)processo.

Il nostro suscettore a barilotto rivestito in SiC per LPE PE2061S è un tipo di reattore a barilotto con deposizione epitassiale CVD progettato per fornire prestazioni affidabili in ambienti estremi. L'eccezionale adesione del rivestimento, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono una scelta eccellente per l'uso in condizioni difficili. Inoltre, il suo profilo termico uniforme e il modello di flusso laminare del gas prevengono la contaminazione, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità.

Il design a forma di botte del nostro semiconduttorereattore epitassialeOttimizza i modelli di flusso di gas laminare, garantendo una distribuzione uniforme del calore. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione delle impurità,Garantire una crescita epitassiale di alta qualità sui substrati di wafer.

Ci impegniamo a fornire ai nostri clienti prodotti di alta qualità e convenienti. Il nostro Susceptor Barrel rivestito in SiC CVD offre il vantaggio della competitività dei prezzi pur mantenendo un'eccellente densità per entrambisubstrato di grafiteErivestimento in carburo di silicio, fornendo protezione affidabile in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.


DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Il suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita del singolo cristallo presenta una levigatezza superficiale molto elevata.

Riduce al minimo la differenza nel coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e

rivestimento in carburo di silicio, migliorando efficacemente la forza di legame e prevenzione di crack e delaminazione.

Sia il substrato di grafite che il rivestimento in carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica e eccellenti capacità di distribuzione termica.

Ha un alto punto di fusione, alta temperaturaresistenza all'ossidazione, EResistenza alla corrosione.



Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità 3,21 g/cm³
Durezza 2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Dimensione del grano 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300 W·m-1· K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTek Semiconductor SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop:

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

semiconductor chip epitaxy industry chain


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