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Mandrino elettrostatico ceramico in nitruro di alluminio (AlN).
  • Mandrino elettrostatico ceramico in nitruro di alluminio (AlN).Mandrino elettrostatico ceramico in nitruro di alluminio (AlN).

Mandrino elettrostatico ceramico in nitruro di alluminio (AlN).

I mandrini elettrostatici in ceramica al nitruro di alluminio (ESC) VeTek sono piattaforme di bloccaggio per wafer ad alta conduttività termica progettate per strumenti di processo di semiconduttori che richiedono un controllo preciso della temperatura, un mantenimento elettrostatico stabile e una bassa generazione di particelle. Realizzati in ceramica AlN di elevata purezza, questi mandrini offrono un'eccellente diffusione del calore, un elevato isolamento elettrico e un bloccaggio Coulomb o Johnsen–Rahbek affidabile per processi di wafer da 150 mm, 200 mm e 300 mm.
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    1.Vantaggi

    • Ceramica AlN di elevata purezza con conduttività termica fino a ~180 W/m·K per un efficiente trasferimento di calore e uniformità della temperatura

    • Forte isolamento elettrico e resistività di volume elevata che supportano un bloccaggio stabile a 1–3 kV (sono disponibili tensioni più elevate)

    • Materiali degli strati dielettrici personalizzati e layout degli elettrodi: Coulomb o Johnsen-Rahbek (JR); mono o multizona

    • Prestazioni di bloccaggio e sbloccaggio rapide, in genere inferiori a 0,1 secondi

    • Microstrutture superficiali con fossette fino a ~300 μm di diametro, riducendo l'area di contatto fino a ~1%

    • Elevata capacità di planarità; planarità globale tipica dell'ordine di 0,5–3 μm PV per piattaforme di classe 300 mm

    • Microstruttura densa con assorbimento d'acqua prossimo allo zero e buona resistenza chimica per ambienti di processo

    2.Applicazioni tipiche

    I mandrini elettrostatici in ceramica al nitruro di alluminio vengono utilizzati nelle fasi del processo che richiedono sia il fissaggio sicuro del wafer che un comportamento termico controllato:

    • Attacco al plasma a secco (ICP/RIE) e relativi processi in camera

    • CVD, PEALD, ALD termico e altri stadi di deposizione di film sottile

    • Moduli di ricottura e di processo termico che richiedono una temperatura del wafer uniforme

    • Fasi di ispezione, metrologia e precisione dove il basso contenuto di particelle e il bloccaggio stabile sono fondamentali

    3.Gradi di materiale AlN – Proprietà tipiche

    VeTek offre diversi gradi di nitruro di alluminio per bilanciare conduttività termica, resistenza meccanica e costi per i progetti ESC:

    Proprietà

    AIN-HC95

    AIN-HP95

    AIN99

    AIN999

    AIN-HP999

    AIN-HP999LR

    Colore

    Grigio

    Grigio

    Grigio

    Grigio

    Grigio

    Grigio

    Purezza

    ≥95%

    ≥95%

    ≥99%

    ≥99,9%

    ≥99,9%

    ≥99,9%

    Densità (g/cm³)

    3.3

    3.3

    3.3

    3.2

    3.3

    3.3

    Assorbimento d'acqua (%)

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    Durezza HV (GPa)

    10

    10

    10

    10

    10

    10

    Resistenza alla flessione (MPa)

    380

    400

    350

    310

    360

    310

    Modulo elastico (GPa)

    320

    300

    300

    300

    300

    300

    Resistenza alla frattura

    3

    3.4

    3

    2.8

    2.3

    3.3

    CET (×10⁻⁶/°C)

    4.6

    5.7

    5.2

    5.5

    5.7

    5.4

    Conducibilità termica

    180

    180

    100

    90

    90

    90

    Shock termico (°C)

    400

    500

    —

    —

    350

    —

    Rigidità dielettrica

    16

    16

    —

    16

    —

    —

    Resistività del volume

    1×10¹⁴

    1×10¹⁵

    1×10¹⁵

    —

    1×10¹⁵

    Regolabile

    Costante dielettrica

    8.6

    8.6

    8.5

    8.5

    —

    —

    Unità: Conduttività termica in W/(m·K); rigidità dielettrica in kV/mm; resistività di volume in Ω·cm (25 °C); costante dielettrica a 1 MHz. I valori sono tipici e possono variare in base al processo e alla geometria della parte.

    4.Parametri di progettazione tipici dell'ESC

    Parametro

    Valore/intervallo tipico

    Materiale ceramico

    Nitruro di alluminio (AlN)

    Tipo ESC

    Coulomb / Johnsen–Rahbek (JR)

    Disposizione degli elettrodi

    Mono o multizona

    Percorso di produzione

    Pressatura a caldo (AlN preferito per qualità ad alto contenuto di TC)

    Tempo di bloccaggio/sbloccaggio

    < 0,1 s (tipico)

    Diametro fossetta (min.)

    ~300 µm

    Area di contatto (con fossette)

    Può essere ridotto a ~1%

    Planarità globale (classe 300 mm)

    ~0,5–3 μm PV (tipico)

    Tensione di serraggio

    1–3 kV standard; possibili versioni >15 kV

    5.Perché Choose Mandrini elettrostatici VeTek AlN?

    VeTek Semiconductor integra ceramiche AlN avanzate con la produzione di ESC di precisione per i clienti di semiconduttori che necessitano sia di prestazioni termiche che di bloccaggio affidabile:

    • Diversi gradi AlN con conduttività termica da ~90 a ~180 W/m·K per soddisfare i budget termici del processo

    • Elettrodo flessibile e design dielettrico per comportamento di bloccaggio Coulomb o JR

    • Controllo rigoroso della planarità, della microstruttura superficiale e delle prestazioni di isolamento elettrico

    • Supporto completo del ciclo di vita: progettazione, nuova costruzione e ristrutturazione multilivello

    Per gli strumenti di incisione, deposizione e termici che dipendono dalla temperatura uniforme del wafer e da un bloccaggio pulito e ripetibile, i mandrini elettrostatici in ceramica al nitruro di alluminio VeTek forniscono una piattaforma ceramica ad alte prestazioni supportata da un supporto tecnico focalizzato sull'applicazione.

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