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Elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC
  • Elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SICElemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC

Elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC

L'elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC svolge un ruolo fondamentale nei materiali di riscaldamento nel forno PVD (deposizione di evaporazione). Vetek Semiconductor è un produttore di elementi di riscaldamento rivestiti con SIC CVD leader in Cina. Abbiamo funzionalità avanzate di rivestimento CVD e possiamo fornirti prodotti di rivestimento SIC CVD personalizzati. Vetek Semiconductor non vede l'ora di diventare il tuo partner nell'elemento di riscaldamento rivestito SIC.

L'elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC è utilizzato principalmente nell'attrezzatura PVD (deposizione fisica del vapore). Nel processo di evaporazione, il materiale viene riscaldato per ottenere evaporazione o sputtering e infine si forma un film sottile uniforme sul substrato.


Ⅰ.Applicazione specifica

Deposizione di film sottile: l'elemento di riscaldamento del rivestimento SIC CVD viene utilizzato nella sorgente di evaporazione o nella sorgente di sputtering. Riscaldando, l'elemento riscalda il materiale da depositare ad alta temperatura, in modo che i suoi atomi o molecole siano separati dalla superficie del materiale, formando così vapore o plasma. Il nostro rivestimento SIC a base di elementi di riscaldamento può anche riscaldare direttamente alcuni materiali metallici o ceramici per evaporarli o sublimarli in un ambiente a vuoto per l'uso come fonte di materiale nel processo PVD. Poiché la struttura ha scanalature concentriche, può controllare meglio il percorso corrente e la distribuzione del calore per garantire l'uniformità del riscaldamento.

Schematic diagram of the evaporation PVD process

Diagramma schematico del processo PVD di evaporazione

Ⅱ.Principio di lavoro

Riscaldamento resistivo, quando la corrente passa attraverso il percorso di resistenza del riscaldatore rivestito SIC, viene generato il calore di Joule, raggiungendo così l'effetto del riscaldamento. La struttura concentrica consente alla corrente di essere distribuita uniformemente. Un dispositivo di controllo della temperatura è generalmente collegato all'elemento per monitorare e regolare la temperatura.


Ⅲ.Materiale e design strutturale

L'elemento di riscaldamento del rivestimento SIC CVD è realizzato con la grafite di alta purezza e il rivestimento SIC per far fronte ad un ambiente ad alta temperatura. La stessa grafite ad alta purezza è stata ampiamente utilizzata come materiale del campo termico. Dopo aver applicato uno strato di rivestimento sulla superficie della grafite con il metodo CVD, la sua stabilità ad alta temperatura, resistenza alla corrosione, efficienza termica e altre caratteristiche vengono ulteriormente migliorate.


CVD SiC coating CVD SiC coating Heating Element


La progettazione di scanalature concentriche consente alla corrente di formare un ciclo uniforme sulla superficie del disco. Raggiunge una distribuzione uniforme del calore, evita il surriscaldamento locale causato dalla concentrazione in determinate aree, riduce ulteriori perdite di calore causate dalla concentrazione di corrente e migliora quindi l'efficienza del riscaldamento.


L'elemento di riscaldamento del rivestimento CVD SIC è costituito da due gambe e un corpo. Ogni gamba ha un thread che si collega all'alimentazione. Vetek Semiconductor può fare parti monopezzo o parti divise, cioè le gambe e il corpo sono realizzati separatamente e quindi assemblati. Indipendentemente dai requisiti che hai per il riscaldatore rivestito con CVD SIC, consultaci. Veteksemi può fornire i prodotti di cui hai bisogno.


Proprietà fisiche di base del rivestimento CVD SIC :


Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Dimensione del grano
2 ~ 10 mm
Purezza chimica
99.99995%
Capacità termica
640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Forza di flessione
415 MPA RT 4 punti
Il modulo di Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE)
4,5 × 10-6K-1

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