riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicio

Semiconduttore Riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicioCombina l'eccellente conduttività elettrica e termica della grafite con la resistenza ad alta temperatura, la resistenza alla corrosione e la resistenza all'usura del rivestimento in ceramica in carbonio silicio ed è progettata per ambienti di produzione di semiconduttori severi. 

Riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicioè utilizzato principalmente nelle apparecchiature per rivestimento a vuoto (evaporazione) e i metodi comunemente utilizzati sono PCD (essiccazione chimica del plasma) e PVD (deposizione fisica del vapore). Questo prodotto ha svolto un ruolo importante nella promozione del progresso tecnologico e nel miglioramento dell'efficienza della produzione nel settore dei semiconduttori.Non vediamo l'ora di ulteriore cooperazione con te.

Il materiale e le caratteristiche strutturali del riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicio sono i seguenti:

Substrato di grafite: La grafite è nota per la sua alta conducibilità termica e il coefficiente di espansione termica bassa. Può rispondere rapidamente alle variazioni di temperatura e mantenere la stabilità strutturale ad alte temperature.

Rivestimento in ceramica in carbonio al silicio: Il rivestimento SIC è uniformemente rivestito sulla superficie della grafite attraverso la deposizione di vapore chimico o altri processi avanzati. SIC ha una resistenza alla corrosione estremamente elevata e della corrosione chimica, che può proteggere il substrato di grafite da ossidazione ad alta temperatura e ambienti corrosivi.

Determina lo speciale design strutturale del prodotto del riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicioI vantaggi insostituibili del prodotto di questo prodotto nel processo di elaborazione dei semiconduttori:

Riscaldamento efficiente e uniforme:

Conducibilità termica: L'elevata conduttività termica della grafite consente al riscaldatore di raggiungere rapidamente e mantenere la temperatura richiesta e il rivestimento SIC garantisce una distribuzione uniforme del calore. Ciò è particolarmente importante per i processi a semiconduttore che richiedono un controllo preciso della temperatura, come la rapida elaborazione termica (RTP) e la deposizione di vapore chimico (CVD).

Uniformità della temperatura: Attraverso la distribuzione uniforme del calore, il riscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicio può ridurre efficacemente la sollecitazione termica e il gradiente di temperatura, garantendo la consistenza e la stabilità di qualità dei wafer a semiconduttore durante il processo di riscaldamento.

Protezione anticorrosiva:

Resistenza chimica: La resistenza alla corrosione chimica del rivestimento SIC consente al riscaldatore di funzionare in modo stabilmente e per molto tempo in ambienti corrosivi di gas e chimica, evitando danni al substrato di grafite. Questa caratteristica è particolarmente critica nei processi come la deposizione di vapore chimico (CVD) e la deposizione di vapore chimica migliorata al plasma (PECVD).

Resistenza all'ossidazione: Ad alte temperature, il rivestimento SIC può impedire l'ossidazione del substrato di grafite, estendere la durata del riscaldatore e ridurre la frequenza e il costo della manutenzione delle attrezzature.

Reduce particle contamination:

Stabilità superficiale: Il rivestimento SIC non è solo resistente all'usura, ma impedisce anche alle particelle di cadere dalla superficie del materiale a causa del ciclo termico o delle reazioni chimiche, riducendo così il rischio di contaminazione da particelle che può verificarsi durante la produzione di semiconduttori e garantendo un ambiente di processo ad alta pulizia.

Migliora l'affidabilità e l'efficienza del processo:

Design di lunga durata: A causa della combinazione della resistenza meccanica della grafite e della resistenza all'usura del rivestimento SIC, il riscaldatore di grafite in carburo di carburo di silicio può mantenere un funzionamento ad alta efficienza per lungo tempo in condizioni di processo difficili, migliorando significativamente l'affidabilità complessiva dell'attrezzatura.

Efficiente utilizzo energetico: L'elevata conduttività termica della grafite e la stabilità ad alta temperatura del rivestimento SIC consentono al riscaldatore di ridurre il consumo di energia migliorando al contempo l'accuratezza del controllo della temperatura, migliorando così l'efficienza complessiva della produzione di semiconduttori.

Proprietà fisiche di base diRiscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicio:

SemiconduttoreRiscaldatore di grafite in ceramica in carburo di silicionegozi:

Panoramica della catena dell'industria dell'epitassia del chip a semiconduttore:

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