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Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Informazioni generali sul prodotto
Luogo di origine:
Cina
Marchio:
Il mio rivale
Numero di modello:
Anello in grafite rivestito CVD TaC-01
Certificazione:
ISO9001
Termini commerciali del prodotto
Quantità minima di ordine:
Soggetto a negoziazione
Prezzo:
Contatto per preventivo personalizzato
Dettagli dell'imballaggio:
Pacchetto di esportazione standard
Tempi di consegna:
Tempi di consegna: 30-45 giorni dalla conferma dell'ordine
Termini di pagamento:
T/T
Capacità di fornitura:
200 unità/mese
Applicazione: L'anello rivestito in TaC Veteksemicon CVD è stato sviluppato appositamente perProcessi di crescita dei cristalli SiC. Essendo un componente portante chiave all'interno della camera di reazione ad alta temperatura, il suo esclusivo rivestimento TaC isola efficacemente la corrosione del vapore di silicio, previene la contaminazione da impurità e garantisce stabilità strutturale a lungo termine in ambienti ad alta temperatura, fornendo una garanzia affidabile per l'ottenimento di cristalli di alta qualità.
Servizi che possono essere forniti: analisi dello scenario applicativo del cliente, abbinamento dei materiali, risoluzione dei problemi tecnici.
Profilo aziendalee:Veteksemicon dispone di 2 laboratori, un team di esperti con 20 anni di esperienza sui materiali, con capacità di ricerca e sviluppo e produzione, test e verifica.
L'anello rivestito CVD TaC di Veteksemicon è un nucleo consumabile progettato per la deposizione di vapori chimici ad alta temperatura e la crescita dei cristalli di materiali semiconduttori avanzati, in particolare il carburo di silicio. Utilizziamo una tecnologia di deposizione chimica in fase vapore unica e ottimizzata per depositare un materiale denso e uniformerivestimento in carburo di tantaliosu un substrato di grafite ad elevata purezza. Con un'eccezionale resistenza alle alte temperature, un'eccellente resistenza alla corrosione e una durata estremamente lunga, questo prodotto protegge efficacemente la qualità dei cristalli e riduce significativamente i costi di produzione complessivi, rendendolo una scelta essenziale per i processi che richiedono stabilità di processo e la massima resa.
Parametri tecnici:
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progetto |
parametro |
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Materiale di base |
Grafite ad alta purezza pressata isostaticamente (purezza ≥ 99,99%) |
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Materiale di rivestimento |
Carburo di tantalio |
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Tecnologia di rivestimento |
Deposizione di vapore chimico ad alta temperatura |
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Spessore del rivestimento |
Standard 30-100μm (può essere personalizzato in base ai requisiti del processo) |
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Rivestimento purity |
≥ 99,995% |
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Temperatura massima di esercizio |
2200°C (atmosfera inerte o vuoto) |
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Principali applicazioni |
Crescita dei cristalli SiC PVT/LPE, MOCVD, altri processi CVD ad alta temperatura |
Purezza e stabilità senza pari
Nell'ambiente estremo di crescita dei cristalli di SiC, dove le temperature superano i 2000°C, anche tracce di impurità possono distruggere le proprietà elettriche dell'intero cristallo. NostroRivestimento TaC CVD, con la sua eccezionale purezza, elimina sostanzialmente la contaminazione dall'anello. Inoltre, la sua eccellente stabilità alle alte temperature garantisce che il rivestimento non si decompone, non volatilizza o reagisce con i gas di processo durante cicli termici e ad alta temperatura prolungati, fornendo un ambiente in fase vapore puro e stabile per la crescita dei cristalli.
Eccellente corrosione eresistenza all'erosione
La corrosione della grafite da parte dei vapori di silicio è la causa principale di guasti e contaminazione da particelle nei tradizionali anelli di grafite. Il nostro rivestimento TaC, con la sua reattività chimica estremamente bassa con il silicio, blocca efficacemente i vapori di silicio, proteggendo il substrato di grafite sottostante dall'erosione. Ciò non solo prolunga significativamente la durata dell'anello stesso ma, cosa ancora più importante, riduce significativamente il particolato generato dalla corrosione e dalla scheggiatura del substrato, migliorando direttamente la resa della crescita dei cristalli e la qualità interna.
Prestazioni meccaniche e durata eccellenti
Il rivestimento TaC formato dal processo CVD ha una densità estremamente elevata e una durezza Vickers, che lo rendono estremamente resistente all'usura e agli urti fisici. Nelle applicazioni pratiche, i nostri prodotti possono prolungare la durata da 3 a 8 volte rispetto ai tradizionali anelli in grafite o agli anelli rivestiti pirolitici in carbonio/carburo di silicio. Ciò significa meno tempi di inattività per la sostituzione e un maggiore utilizzo delle apparecchiature, riducendo significativamente il costo complessivo della produzione del monocristallo.
Eccellente qualità del rivestimento
Le prestazioni di un rivestimento dipendono fortemente dalla sua uniformità e forza di adesione. Il nostro processo CVD ottimizzato ci consente di ottenere uno spessore di rivestimento altamente uniforme anche sulle geometrie degli anelli più complesse. Ancora più importante, il rivestimento forma un forte legame metallurgico con il substrato di grafite ad elevata purezza, prevenendo efficacemente la sfaldatura, la fessurazione o lo sfaldamento causati dalle differenze nei coefficienti di dilatazione termica durante i cicli rapidi di riscaldamento e raffreddamento, garantendo prestazioni affidabili e continue per tutto il ciclo di vita del prodotto.
Approvazione della verifica della catena ecologica
La verifica della catena ecologica di Veteksemicon CVD TaC Coated Ring copre le materie prime fino alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e dispone di una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei campi dei semiconduttori e delle nuove energie.
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Direzione dell'applicazione |
Scenario tipico |
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Crescita dei cristalli di SiC |
Anelli di supporto del nucleo per cristalli singoli 4H-SiC e 6H-SiC cresciuti mediante metodi PVT (trasporto fisico del vapore) e LPE (epitassia in fase liquida). |
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GaN sull'epitassia del SiC |
Un trasportatore o un assieme in un reattore MOCVD. |
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Altri processi di semiconduttori ad alta temperatura |
È adatto a qualsiasi processo di produzione avanzato di semiconduttori che richieda la protezione del substrato di grafite in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosivi. |
Per specifiche tecniche dettagliate, white paper o modalità di test di campioni, per favorecontattare il nostro team di supporto tecnicoper esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza dei processi.
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