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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI
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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI

La base riscaldante per wafer epitassiale del tipo a barile è un prodotto con una tecnologia di lavorazione complicata, che è molto impegnativa per le attrezzature e le capacità di lavorazione. Vetek semiconductor dispone di attrezzature avanzate e di una ricca esperienza nella lavorazione di suscettori di cilindri in grafite rivestiti in SiC per EPI, in grado di fornire la stessa vita di fabbrica originale, cilindri epitassiali più convenienti. Se siete interessati ai nostri dati, non esitate a contattarci.
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Descrizione del prodotto

Vetek Semiconductor è il produttore e il fornitore di China che produce principalmente suscettore a botte di grafite con rivestimento SIC per EPI con molti anni di esperienza. Spero di costruire relazioni commerciali con te.E (epitassia)è un processo critico nella produzione di semiconduttori avanzati. Implica la deposizione di sottili strati di materiale su un substrato per creare strutture di dispositivi complessi. Il suscettore della canna di grafite con rivestimento SIC per l'EPI è comunemente usato come suscettori nei reattori EPI a causa della loro eccellente conduttività termica e resistenza alle alte temperature. ConRivestimento CVD-SiC, diventa più resistente alla contaminazione, all'erosione e allo shock termico. Ciò si traduce in una maggiore durata del suscettore e in una migliore qualità della pellicola.


Vantaggi del nostro suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC:


✔ Contaminazione ridotta: La natura inerte di SIC impedisce alle impurità di aderire alla superficie del suscettore, riducendo il rischio di contaminazione dei film depositati.

✔ Maggiore resistenza all'erosione: Il SiC è significativamente più resistente all'erosione rispetto alla grafite convenzionale, garantendo una maggiore durata del suscettore.

✔ Stabilità termica migliorata: Il SiC ha un'eccellente conduttività termica e può resistere alle alte temperature senza distorsioni significative.

✔ Qualità della pellicola migliorata: La stabilità termica migliorata e la ridotta contaminazione comportano film depositati di qualità superiore con un miglioramento del controllo di uniformità e spessore.


Applicazioni:

I suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni EPI, tra cui:

✔ LED basati su GaN

✔ Elettronica di alimentazione

✔ Dispositivi optoelettronici

✔ Transistor ad alta frequenza

✔ Sensori

Parametro del prodotto del suscettore a barilo di grafite rivestito di SiC

Proprietà fisiche digrafite isostatica
Proprietà Unità Valore tipico
Densità apparente g/cm³ 1.83
Durezza HSD 58
Resistività elettrica μω.m 10
Forza di flessione MPA 47
Resistenza alla compressione MPA 103
Resistenza alla trazione MPA 31
Modulo di Young GPA 11.8
Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.6
Conducibilità termica W·m-1· K-1 130
Dimensione media del grano μm 8-10
Porosità % 10
Contenuto di cenere ppm ≤10 (dopo purificato)

        Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità di rivestimento SIC 3,21 g/cm³
Rivestimento CVD SiC Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPA RT 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE) 4,5 × 10-6K-1

SemiconduttoreSuscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPINegozio di produzione

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

Tag caldi: SUSTCTOR CANNE DI GRAFITE SIC PER EPI
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