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Piastra superiore rivenata SIC per LPE PE2061S
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Piastra superiore rivenata SIC per LPE PE2061S

VeTek Semiconductor è da molti anni profondamente impegnata nei prodotti di rivestimento SiC ed è diventato un produttore e fornitore leader di piastre superiori rivestite in SiC per LPE PE2061S in Cina. La piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S che forniamo è progettata per reattori epitassiali in silicio LPE e si trova sulla parte superiore insieme alla base del cilindro. Questa piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S presenta caratteristiche eccellenti come elevata purezza, eccellente stabilità termica e uniformità, che aiutano a far crescere strati epitassiali di alta qualità. Non importa il prodotto di cui hai bisogno, attendiamo con ansia la tua richiesta.
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Descrizione del prodotto

Vetek Semiconductor è una piastra superiore rivestita in Cina SIC professionale per il produttore e il fornitore di LPE PE2061S.

La piastra superiore rivestita con SIC VETEK per semiconduttore per LPE PE2061s in apparecchiature epitassiali al silicio, utilizzata in combinazione con un suscettore corporeo di tipo a canna per supportare e contenere i wafer (o substrati) epitassiali durante il processo di crescita epitassiale.

La piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S è generalmente realizzata in materiale di grafite stabile alle alte temperature. VeTek Semiconductor considera attentamente fattori come il coefficiente di dilatazione termica quando seleziona il materiale di grafite più adatto, garantendo un forte legame con il rivestimento in carburo di silicio.

La piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S presenta un'eccellente stabilità termica e resistenza chimica per resistere all'ambiente corrosivo e ad alta temperatura durante la crescita epitassia. Ciò garantisce stabilità, affidabilità e protezione a lungo termine dei wafer.

Nelle apparecchiature epitassiali in silicio, la funzione primaria dell'intero reattore rivestito in SiC CVD è quella di supportare i wafer e fornire una superficie uniforme del substrato per la crescita degli strati epitassiali. Inoltre, consente regolazioni nella posizione e nell'orientamento dei wafer, facilitando il controllo della temperatura e della dinamica dei fluidi durante il processo di crescita per ottenere le condizioni di crescita e le caratteristiche dello strato epitassiale desiderate.

I prodotti di Vetek Semiconductor offrono uno spessore di rivestimento uniforme ad alta precisione e uniforme. L'incorporazione di uno strato tampone estende anche la durata della vita del prodotto. Nell'apparecchiatura epitassiale al silicio, utilizzata in combinazione con un suscettore del corpo a barilotto per supportare e contenere i wafer (o substrati) epitassiali durante il processo di crescita epitassiale.


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità 3,21 g/cm³
Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Dimensione del grano 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPA RT 4 punti
Il modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Semiconduttore commerciale

VeTek Semiconductor Production Shop


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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