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Mezzaluna per camera di reazione LPE
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Mezzaluna per camera di reazione LPE

L'Halfmoon è un componente in grafite utilizzato all'interno dei reattori SiC LPE, installati principalmente attorno alla zona calda della camera. Sebbene non sia direttamente a contatto con il wafer, svolge comunque un ruolo nella stabilità del flusso di gas e nel funzionamento del reattore durante la crescita epitassiale. Per gestire temperature elevate e condizioni di processo reattive, il componente è solitamente protetto con rivestimento SiC CVD, mentre per alcune applicazioni è disponibile anche il rivestimento TaC. VETEK fornisce anche isolamenti in feltro di grafite e altre parti rivestite in grafite per i sistemi epitassia SiC.

Cos'è una mezzaluna in una camera di reazione LPE?

Halfmoon in an LPE Reaction Chamber Diagram

In molti reattori orizzontali LPE, Halfmoon fa parte del gruppo della camera interna. Diversi produttori di apparecchiature possono utilizzare strutture leggermente diverse, ma la funzione è generalmente simile. Il componente è solitamente separato nelle sezioni superiore e inferiore:

  • Mezzaluna superiore:La parte superiore funziona principalmente come struttura di supporto all'interno del reattore. Poiché rimane vicino alla zona di processo ad alta temperatura per lunghi periodi, il materiale deve rimanere stabile senza deformazioni evidenti dopo ripetuti cicli termici. Un altro punto importante è la stabilità chimica. Durante l'epitassia del SiC, l'ambiente della camera contiene gas reattivi, quindi la superficie della grafite deve essere adeguatamente protetta.
  • Mezzaluna inferiore:La sezione inferiore è collegata vicino alla zona del tubo di quarzo e al gruppo rotante. È coinvolto nell'introduzione del gas e nel supporto meccanico durante la crescita epitassiale. Rispetto alle normali parti strutturali in grafite, l'Halfmoon inferiore solitamente deve affrontare requisiti più elevati di resistenza all'ossidazione e stabilità allo shock termico a causa del riscaldamento e raffreddamento continui durante il funzionamento del reattore.


Caratteristiche principali di VETEK Halfmoon per camera di reazione LPE


1. Substrato di grafite ad elevata purezza

Il materiale di base è grafite di elevata purezza adatta agli ambienti di processo dei semiconduttori. La purezza del materiale è importante nell'epitassia del SiC perché la contaminazione metallica può influenzare la stabilità della crescita dei cristalli e la qualità della pellicola. VETEK utilizza materiali di grafite purificata con livelli di impurità controllati per questa applicazione.


2. Rivestimento CVD SiC e TaC avanzato

La maggior parte dei componenti Halfmoon sono rivestiti con CVD SiC per migliorare la protezione superficiale in condizioni di processo ad alta temperatura. Per gli ambienti più esigenti è disponibile anche il rivestimento TaC. I vantaggi tipici delle strutture rivestite includono:

  • migliore resistenza ai gas di processo corrosivi
  • generazione di particelle inferiori
  • migliore durabilità della superficie
  • migliore stabilità durante il ciclo termico

 

Nell'uso pratico, la scelta del rivestimento dipende solitamente dalla temperatura del reattore, dalla chimica del processo e dalla durata di servizio prevista.


3. Eccellente stabilità termica

Progettato per ambienti di lavorazione di semiconduttori ad alta temperatura, VETEK Halfmoon mantiene la stabilità dimensionale e l'integrità strutturale durante cicli epitassiali prolungati, rendendolo altamente adatto per apparecchiature LPE e MOCVD.


4. Lavorazione CNC di precisione

VETEK possiede avanzate capacità di lavorazione CNC di precisione con controllo dimensionale a livello di micron, garantendo un'eccellente compatibilità con complesse strutture di reattori LPE e requisiti di apparecchiature personalizzate.


5. Lunga durata

Grazie alla tecnologia di adesione ottimizzata del rivestimento e alla lavorazione dei materiali ad elevata purezza, i componenti VETEK Halfmoon dimostrano un'eccellente durata in caso di ripetuti cicli termici e gas di processo corrosivi, riducendo la frequenza di manutenzione e i costi operativi totali.


Vantaggi tecnici

Caratteristica
VETEK Mezzaluna
Materiale di base
Grafite ad elevata purezza
Trattamento superficiale
Rivestimento CVD SiC/Rivestimento TaC opzionale
Temperatura operativa
fino a 2000°C+
Spessore del rivestimento
50 – 200 μm (regolabile)
Purezza del rivestimento
>99,99999%
Applicazione
Reattore SiC Epitassia/LPE
Resistenza alla temperatura
Eccellente stabilità alle alte temperature
Resistenza alla corrosione
Eccezionale
Uniformità del rivestimento
Controllo ad alta precisione
Controllo delle particelle
Bassa generazione di particelle
Personalizzazione
Disponibile
Compatibilità dell'attrezzatura
LPE / Sistemi personalizzati


Applicazioni


La Halfmoon VETEK per camera di reazione LPE è ampiamente utilizzata in:

  • Sistemi di epitassia al carburo di silicio (SiC).
  • Reattori orizzontali LPE
  • Attrezzatura per la crescita epitassiale dei semiconduttori
  • Camere di processo CVD ad alta temperatura
  • Sistemi avanzati di campo termico a semiconduttore
  • Sistemi di crescita dei cristalli SiC
  • Produzione di semiconduttori di terza generazione

I nostri prodotti sono compatibili con molteplici piattaforme di apparecchiature tradizionali del settore e possono essere personalizzati in base ai disegni del cliente o alle specifiche del reattore.


Perché scegliere VETEK Semiconductor?


VETEK Semiconductor si concentra da molti anni sui componenti in grafite dei semiconduttori e sulle tecnologie di rivestimento. Dal 2016, l'azienda ha continuato a sviluppare le proprie capacità nei processi di purificazione, nella lavorazione di precisione della grafite e nella produzione di rivestimenti CVD per applicazioni di semiconduttori.

Funzionalità VETEK:

  • Esperienza con componenti epitassia SiC e parti di reattori
  • Produzione interna di rivestimenti CVD SiC e TaC
  • Controllo della purificazione dei materiali a livello di semiconduttore
  • Produzione personalizzata sulla base di disegni o campioni
  • Capacità produttiva stabile per ordini batch
  • Fornitura di feltro di grafite e materiali per campi termici
  • Sistema di gestione della qualità ISO9001
  • Supporto tecnico per i clienti esteri


Domande frequenti


(1) Qual è la funzione dell'Halfmoon in un reattore LPE?

Il componente Halfmoon supporta la guida del flusso di gas, l'integrazione della struttura della camera, la gestione della temperatura e la rotazione del suscettore all'interno della camera di reazione epitassiale.

(2) L'Halfmoon è a diretto contatto con il wafer?

Normalmente no. Nella maggior parte delle strutture dei reattori LPE, la Halfmoon rimane attorno al gruppo della camera anziché toccare direttamente il wafer.

(3) Perché utilizzare il rivestimento SiC o TaC sulla superficie?

Il rivestimento serve principalmente per la protezione. Durante l'epitassia del SiC, le parti in grafite sono esposte ad alte temperature e gas reattivi per lunghi periodi. Il rivestimento aiuta a migliorare la resistenza all'ossidazione e riduce l'usura superficiale e la generazione di particelle.

(4) La parte può essere personalizzata?

SÌ. La maggior parte dei componenti Halfmoon vengono effettivamente realizzati in base alla struttura del reattore e ai disegni del cliente, poiché le dimensioni e i dettagli di installazione spesso variano tra le piattaforme delle apparecchiature.

  

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