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Progettato per circondare la zona di tracciamento del wafer, il Solid SiC Focus Ring garantisce una distribuzione lineare del plasma e profili di incisione esatti da bordo a centro. Questi componenti β-SiC premium sono costruiti da Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) utilizzando la tecnologia proprietaria Chemical Vapor Deposition (CVD). Vaporizzando le materie prime in una matrice densa e priva di leganti, Vetek elimina i microinterstizi porosi comuni nei materiali più vecchi. Rispetto alla schermatura standard al quarzo o al silicio, i nostri componenti SiC CVD resistono molto meglio ai gas alogeni corrosivi, schermando il wafer in una logica profonda inferiore a 7 nm e nella produzione di chip di memoria densi. Attendiamo con ansia la vostra ulteriore richiesta.

Questo perno di sollevamento wafer AMAT 0200-03201 di VeTek inizia con grafite di elevata purezza, quindi aggiungiamo un denso rivestimento SiC CVD sulla parte superiore. È realizzato per sistemi epitassia da 300 mm e reattori EPI per materiali applicati. Perché grafite e SiC? La grafite gestisce molto bene il calore. Lo strato SiC assorbe gas corrosivi e non si consuma rapidamente. Il design a parete sottile? Ciò garantisce un sollevamento e un posizionamento dei wafer più puliti, un minor numero di particelle e una maggiore durata delle parti ad alte temperature. Produciamo anche parti simili in grafite rivestita in SiC per sistemi ASM, Aixtron e LPE. In attesa della tua richiesta.

Vetek Semiconductor produce supporti wafer per i sistemi VEECO MOCVD, costruiti appositamente per il lavoro di epitassia LED come i LED GaN, i LED blu-verdi e la crescita LED UV profonda. Questi supporti iniziano con grafite di elevata purezza e ottengono un rivestimento denso di carburo di silicio (SiC) CVD. Questa combinazione regge bene alle alte temperature che si vedono nel MOCVD: buona stabilità termica, resistenza alla corrosione e durata del rivestimento.

L'Halfmoon è un componente in grafite utilizzato all'interno dei reattori SiC LPE, installati principalmente attorno alla zona calda della camera. Sebbene non sia direttamente a contatto con il wafer, svolge comunque un ruolo nella stabilità del flusso di gas e nel funzionamento del reattore durante la crescita epitassiale. Per gestire temperature elevate e condizioni di processo reattive, il componente è solitamente protetto con rivestimento SiC CVD, mentre per alcune applicazioni è disponibile anche il rivestimento TaC. VETEK fornisce anche isolamenti in feltro di grafite e altre parti rivestite in grafite per i sistemi epitassia SiC.

L'anello superiore SiC epi da 8 pollici è una parte hardware per reattori a semiconduttore. Funziona all'interno dei sistemi epitassia Si/SiC e MOCVD/CVD. Questo anello stabilizza il calore all'interno della camera. Controlla anche il flusso dei gas. Il materiale è carburo di silicio CVD di elevata purezza. Non presenta i problemi di degassamento della grafite. Riduce inoltre la contaminazione da particelle durante la produzione. Accogliamo con favore le vostre richieste.

VETEK ha sviluppato il nostro feltro morbido in fibra di carbonio utilizzando una combinazione di cardatura di precisione e tecnologia a getto d'aria. possiamo garantire una struttura fibrosa altamente uniforme in tutto il materiale. È costruito per resistere al calore intenso dei forni industriali pur rimanendo incredibilmente leggero. Grazie alla massa termica così bassa e alla struttura flessibile, è facile da installare e si adatta perfettamente agli angoli del forno, contribuendo a massimizzare l'efficienza energetica in ogni ciclo.