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Il suscettore in grafite rivestito in SiC VETEK CVD per wafer carrier è un componente di supporto wafer ad alte prestazioni progettato per i processi di epitassia dei semiconduttori. Il prodotto utilizza grafite di elevata purezza come substrato ed è rivestito con uno strato uniforme di carburo di silicio (SiC) CVD, che fornisce eccellente stabilità termica, resistenza chimica e controllo delle particelle. Essendo un componente critico del suscettore in grafite, supporta direttamente i wafer all'interno della camera di reazione e aiuta a mantenere una distribuzione uniforme della temperatura e condizioni di crescita epitassiale stabili.

VeTek Semiconductor fornisce polvere di carburo di silicio (SiC) ad alta purezza di prima qualità, su misura specificatamente per la crescita di cristalli SiC (processo PVT) ad alto rendimento, la produzione di substrati semiconduttori e ceramiche funzionali avanzate. Elaborata attraverso una tecnologia di purificazione ultra pulita, la nostra materia prima SiC ad elevata purezza fornisce livelli di tracce di metalli eccezionalmente bassi, prestazioni di sublimazione riproducibili e qualità batch-to-batch altamente coerente per soddisfare i rigorosi requisiti di produzione dei semiconduttori.

La barca wafer al quarzo ad alta purezza VETEK per apparecchiature a semiconduttore TEL è realizzata in materiale di quarzo di grado semiconduttore e progettata per la gestione dei wafer in processi ad alta temperatura come diffusione, ossidazione, ricottura e CVD. Con eccellente stabilità termica, resistenza chimica e caratteristiche di bassa contaminazione, fornisce un supporto affidabile per wafer per applicazioni di produzione di semiconduttori.

L'anello di grafite rivestito in TaC poroso VETEK è un componente a campo termico progettato per la crescita di cristalli singoli SiC tramite il processo PVT (Physical Vapor Transport). È prodotto da grafite porosa di elevata purezza e rivestito con carburo di tantalio (TaC) utilizzando la tecnologia CVD. Il progetto mira alla stabilità alle alte temperature, alla resilienza chimica e alle prestazioni del campo termico controllato. Riducendo al minimo la contaminazione e garantendo la coerenza del processo, questo componente contribuisce a risultati riproducibili di crescita dei cristalli SiC.

Il supporto RTA RTA in grafite rivestito in carburo di silicio (SiC) VETEK CVD è progettato per sistemi di trattamento termico rapido (RTP) e ricottura termica rapida (RTA) utilizzati nella produzione di semiconduttori. Realizzato in grafite isostatica di elevata purezza con un denso rivestimento SiC CVD, fornisce eccezionale stabilità termica, eccellente uniformità della temperatura, resistenza chimica superiore e generazione di particelle ultra-bassa. Progettato per resistere a cicli rapidi e ripetuti di riscaldamento e raffreddamento, il supporto garantisce un supporto affidabile dei wafer e prestazioni di processo stabili per la ricottura dei wafer di silicio e altre applicazioni di semiconduttori ad alta temperatura.

Il suscettore rivestito TaC VETEK CVD combina un substrato di grafite isostatica di elevata purezza con un rivestimento denso di carburo di tantalio (TaC) CVD per offrire eccezionale stabilità termica, resistenza alla corrosione e bassa generazione di particelle per l'epitassia dei semiconduttori più impegnativa. Progettato per la crescita epitassiale SiC, GaN e AlN, riduce al minimo la contaminazione, migliora l'uniformità della temperatura del wafer e prolunga la durata di servizio dei componenti nei processi MOCVD e CVD ad alta temperatura.