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Suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM
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Suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM

Il suscettore in grafite rivestito in SiC di Veteksemicon per ASM è un componente portante principale nei processi epitassiali dei semiconduttori. Questo prodotto utilizza la nostra tecnologia brevettata di rivestimento in carburo di silicio pirolitico e processi di lavorazione di precisione per garantire prestazioni superiori e una durata ultra lunga in ambienti di processo corrosivi e ad alta temperatura. Comprendiamo profondamente i severi requisiti dei processi epitassiali in termini di purezza del substrato, stabilità termica e consistenza e ci impegniamo a fornire ai clienti soluzioni stabili e affidabili che migliorano le prestazioni complessive delle apparecchiature.

Informazioni generali sul prodotto


Luogo di origine:
Cina
Marchio:
Il mio rivale
Numero di modello:
Suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM-01
Certificazione:
ISO9001


Termini commerciali del prodotto


Quantità minima di ordine:
Soggetto a negoziazione
Prezzo:
Contatto per preventivo personalizzato
Dettagli dell'imballaggio:
Pacchetto di esportazione standard
Tempi di consegna:
Tempi di consegna: 30-45 giorni dalla conferma dell'ordine
Termini di pagamento:
T/T
Capacità di fornitura:
100 unità/mese


✔ Applicazione: Il substrato in grafite rivestito in SiC di Veteksemicon è un materiale di consumo fondamentale per le apparecchiature epitassiali della serie ASM. Supporta direttamente il wafer e fornisce un campo termico uniforme e stabile durante l'epitassia ad alta temperatura, rendendolo un componente fondamentale per garantire la crescita di alta qualità di materiali semiconduttori avanzati come GaN e SiC.

✔ Servizi che possono essere forniti: analisi dello scenario applicativo del cliente, abbinamento dei materiali, risoluzione dei problemi tecnici. 

✔ Profilo aziendale:Veteksemicon dispone di 2 laboratori, un team di esperti con 20 anni di esperienza sui materiali, con capacità di ricerca e sviluppo e produzione, test e verifica.


Parametri tecnici


progetto
parametro
Modelli applicabili
Apparecchiatura epitassiale serie ASM
Materiale di base
Grafite isostatica di elevata purezza e alta densità
Materiale di rivestimento
Carburo di silicio pirolitico di elevata purezza
Spessore del rivestimento
Lo spessore standard è 80-150 μm (personalizzabile in base alle esigenze del processo del cliente)
Rugosità superficiale
La superficie del rivestimento Ra ≤ 0,5 μm (la lucidatura può essere eseguita in base ai requisiti del processo)
Garanzia di coerenza
Ogni prodotto viene sottoposto a test rigorosi sull'aspetto, sulle dimensioni e sulle correnti parassite prima di lasciare la fabbrica per garantire una qualità stabile e affidabile


Suscettore in grafite rivestito in SiC Veteksemicon per i vantaggi principali dell'ASM


1. Purezza estrema e basso tasso di difetti

Utilizzando un substrato di grafite speciale di elevata purezza e con particelle fini, combinato con il nostro processo di rivestimento di deposizione chimica in fase di vapore (CVD) rigorosamente controllato, garantiamo che il rivestimento sia denso, privo di fori di spillo e privo di impurità. Ciò riduce significativamente il rischio di contaminazione da particolato durante il processo epitassiale, fornendo un ambiente di substrato pulito per la crescita di strati epitassiali di alta qualità.


2. Eccellente resistenza alla corrosione e resistenza all'usura

Il rivestimento pirolitico in carburo di silicio possiede una durezza e un'inerzia chimica estremamente elevate, resistendo efficacemente all'erosione delle fonti di silicio (come SiH4, SiHCl3), fonti di carbonio (come C3H8) e gas di attacco (come HCl, H2) ad alte temperature. Ciò allunga notevolmente il ciclo di manutenzione del basamento e riduce i tempi di fermo macchina causati dalla sostituzione dei componenti.


3. Eccellente uniformità e stabilità termica

Abbiamo ottimizzato la distribuzione del campo termico all'interno dell'intervallo di temperature operative attraverso una progettazione precisa della struttura del substrato e il controllo dello spessore del rivestimento. Ciò si traduce direttamente in un'eccellente uniformità di spessore e resistività nel wafer epitassiale, contribuendo a migliorare la resa di produzione dei chip.


4. Eccellente forza di adesione del rivestimento

L'esclusiva tecnologia di pretrattamento superficiale e rivestimento gradiente consente al rivestimento in carburo di silicio di formare un forte strato di legame con il substrato di grafite, prevenendo efficacemente problemi di distacco, sfaldamento o fessurazione del rivestimento che possono verificarsi durante i cicli termici a lungo termine.


5. Dimensioni precise e replicazione strutturale

Possediamo capacità mature di lavorazione e test CNC, che ci consentono di replicare completamente la geometria complessa, le dimensioni della cavità e le interfacce di montaggio della base originale, garantendo una perfetta corrispondenza e funzionalità plug-and-play con la piattaforma del cliente.


6. Approvazione della verifica della catena ecologica

Il suscettore in grafite rivestito in SiC di Veteksemicon per la verifica della catena ecologica di ASM copre le materie prime fino alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e dispone di una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei campi dei semiconduttori e delle nuove energie.

Per specifiche tecniche dettagliate, white paper o modalità di test dei campioni, contatta il nostro team di supporto tecnico per esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza del tuo processo.


Principali campi di applicazione


Direzione dell'applicazione
Scenario tipico
Produzione di dispositivi di potenza SiC
Nella crescita omoepitassiale del SiC, il substrato supporta direttamente il substrato di carburo di silicio, affrontando temperature elevate di oltre 1600°C e un ambiente gassoso altamente attaccabile.
Produzione di dispositivi RF e di potenza basati sul silicio
Utilizzato per far crescere strati epitassiali su substrati di silicio, fungendo da base per la produzione di dispositivi di potenza di fascia alta come transistor bipolari a gate isolato (IGBT), MOSFET a supergiunzione e dispositivi a radiofrequenza (RF).
Epitassia dei semiconduttori composti di terza generazione
Ad esempio, nella crescita eteroepitassiale GaN-on-Si (nitruro di gallio su silicio), funge da componente chiave a supporto dei substrati di zaffiro o silicio.


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