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Suscettore di rivestimento SiC
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Suscettore di rivestimento SiC

Vetek Semiconductor si concentra sulla ricerca, sviluppo e industrializzazione di rivestimenti CVD SiC e CVD TaC. Prendendo come esempio il suscettore del rivestimento SiC, il prodotto è altamente lavorato con rivestimento CVD SIC denso e ad alta precisione, resistenza alle alte temperature e forte resistenza alla corrosione. La tua richiesta su di noi è benvenuta.

Puoi essere certo di acquistare il suscettore di rivestimento SiC dalla nostra fabbrica. In qualità di produttore di rivestimenti CVD SiC, VeTek Semiconductor vorrebbe fornirvi suscettori di rivestimento SiC realizzati con grafite ad elevata purezza e suscettore di rivestimento SiC (inferiore a 5 ppm). Benvenuti a contattarci.


Noi di Vetek Semiconductor siamo specializzati nella ricerca, sviluppo e produzione tecnologica e offriamo una gamma di prodotti avanzati per il settore. La nostra linea di prodotti principale comprende rivestimento CVD SiC+grafite ad elevata purezza, suscettore rivestito in SiC, quarzo semiconduttore, rivestimento CVD TaC+grafite ad elevata purezza, feltro rigido e altri materiali.

Uno dei nostri prodotti di punta è il SiC Coating Susceptor, sviluppato con una tecnologia innovativa per soddisfare i severi requisiti della produzione di wafer epitassiali. I wafer epitassiali devono presentare una distribuzione ristretta della lunghezza d'onda e bassi livelli di difetti superficiali, rendendo il nostro suscettore di rivestimento SiC un componente essenziale per raggiungere questi parametri cruciali.

Vantaggi del nostro suscettore con rivestimento SiC:


✔ Protezione del materiale di base: Il rivestimento CVD SiC agisce come strato protettivo durante il processo epitassiale, proteggendo efficacemente il materiale di base dall'erosione e dai danni causati dall'ambiente esterno. Questa misura protettiva prolunga notevolmente la durata dell'apparecchiatura.

✔ Eccellente conducibilità termica: Il nostro rivestimento CVD SiC possiede un'eccezionale conduttività termica, trasferendo in modo efficiente il calore dal materiale di base alla superficie del rivestimento. Ciò migliora l'efficienza della gestione termica durante l'epitassia, garantendo temperature operative ottimali per l'apparecchiatura.

✔ Qualità della pellicola migliorata: Il rivestimento CVD SiC fornisce una superficie piana e uniforme, creando una base ideale per la crescita del film. Riduce i difetti derivanti dal disadattamento del reticolo, migliora la cristallinità e la qualità del film epitassiale e, in definitiva, ne migliora le prestazioni e l'affidabilità.


Scegli il susceptor di rivestimento SiC di Vetek Semiconductor per le tue esigenze di produzione di wafer epitassiali e beneficia di una protezione migliorata, di una conduttività termica superiore e di una migliore qualità della pellicola. Affidati alle soluzioni innovative di VeTek Semiconductor per guidare il tuo successo nel settore dei semiconduttori.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità SiC CVD 3,21 g/cm³
Rivestimento CVD SiC Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2~10μm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1

VeTekSemi SiC Coating Susceptor Officine di produzione:

SiC Coating Susceptor Production shops

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