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Anelli di guida per rivestimento TAC
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Anelli di guida per rivestimento TAC

Come produttore leader di anelli di guida di rivestimento TAC in Cina, gli anelli di guida rivestita TAC a semiconduttore Vetek sono componenti importanti nelle apparecchiature MOCVD, garantendo una consegna accurata e stabile del gas durante la crescita epitassiale e sono un materiale indispensabile nella crescita epitassiale semiconduttore. Benvenuti a consultarci.

Funzione degli anelli di guida per rivestimento TAC:


Controllo del flusso di gas preciso: ILAnello della guida del rivestimento TACè strategicamente posizionato all'interno del sistema di iniezione di gas delReattore MOCVD. La sua funzione principale è quella di dirigere il flusso di gas precursori e garantire la loro distribuzione uniforme attraverso la superficie del wafer del substrato. Questo preciso controllo sulla dinamica del flusso di gas è essenziale per raggiungere la crescita uniforme dello strato epitassiale e le proprietà del materiale desiderate.

Gestione termica: Gli anelli della guida al rivestimento TAC spesso operano a temperature elevate a causa della loro vicinanza al suscettore e al substrato riscaldati. L'eccellente conduttività termica di TAC aiuta a dissipare il calore in modo efficace, prevenendo il surriscaldamento localizzato e mantenendo un profilo di temperatura stabile all'interno della zona di reazione.


Vantaggi di TAC in MOCVD:


Resistenza alla temperatura estrema: TAC vanta uno dei punti di fusione più alti tra tutti i materiali, superiori a 3800 ° C.

Eccezionale inerzia chimica: TAC presenta una resistenza eccezionale alla corrosione e all'attacco chimico dai gas precursori reattivi utilizzati nel MOCVD, come ammoniaca, silano e vari composti metalli-organici.


Proprietà fisiche diRivestimento TAC:

Proprietà fisiche diRivestimento TAC
Densità
14.3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di espansione termica
6.3*10-6/K
Durezza (HK)
2000 HK
Resistenza
1 × 10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10 ~ -20um
Spessore del rivestimento
≥20um Valore tipico (35um ± 10um)


Vantaggi per le prestazioni MOCVD:


L'uso dell'anello di rivestimento TAC a semiconduttore Vetek nelle apparecchiature MOCVD contribuisce in modo significativo a:

Aumento del tempo di attività dell'attrezzatura: La durata e la durata estesa della Guida del rivestimento TAC riducono la necessità di frequenti sostituti, minimizzando i tempi di inattività di manutenzione e massimizzando l'efficienza operativa del sistema MOCVD.

Stabilità del processo migliorata: La stabilità termica e l'inertezza chimica di TAC contribuiscono a un ambiente di reazione più stabile e controllato all'interno della camera del MOCVD, minimizzando le variazioni di processo e migliorando la riproducibilità.

Uniformità dello strato epitassiale migliorato: Controllo preciso del flusso di gas facilitato dagli anelli Guida al rivestimento TAC garantisce la distribuzione del precursore uniforme, con conseguente altamente uniformeCrescita dello strato epitassialecon spessore e composizione coerenti.


Rivestimento in carburo di tantalum (TAC)su una sezione microscopica:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


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