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MOCVD Wafer epitassiale Fornire
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MOCVD Wafer epitassiale Fornire

Vetek Semiconductor è stato impegnato nel settore della crescita epitassiale a semiconduttore per lungo tempo e ha ricche capacità di esperienza e processo nei prodotti del suscitatore del wafer epitassiale MOCVD. Oggi, Vetek Semiconductor è diventato il principale produttore e fornitore di suscettori di wafer epitassiale MOCVD della Cina, e i suscettori del wafer che fornisce hanno svolto un ruolo importante nella produzione di wafer epitassiali GAN e altri prodotti.

Il suscettore del wafer epitassiale MOCVD è un suscettore di wafer epitassiale ad alte prestazioni progettato per l'attrezzatura MOCVD (deposizione di vapore chimico-metallo-organico). Il suscettore è realizzato in materiale di grafite SGL e rivestito con rivestimento in carburo di silicio, che combina l'elevata conduttività termica della grafite con l'eccellente resistenza di alta temperatura e corrosione di SIC ed è adatto al duro ambiente operativo di alta temperatura, alta pressione e gas corrosivo durante la crescita epitassiale dei semiconduttori.


Il materiale di grafite SGL ha un'eccellente conduttività termica, che garantisce che la temperatura del wafer epitassiale sia distribuita uniformemente durante il processo di crescita e migliora la qualità dello strato epitassiale. Il rivestimento SIC rivestito consente al suscettore di resistere a temperature elevate di oltre 1600 ℃ e adattarsi all'ambiente termico estremo nel processo MOCVD. Inoltre, il rivestimento SIC può resistere efficacemente a gas di reazione ad alta temperatura e corrosione chimica, estendere la durata del suscettore e ridurre l'inquinamento.


Il suscettore del wafer epitassiale MOCVD di Veteksemi può essere utilizzato in sostituzione degli accessori di fornitori di apparecchiature MOCVD come Aixtron.MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth


● Dimensione: Può essere personalizzato in base alle esigenze dei clienti (dimensioni standard disponibili).

● Capacità di trasporto: Può trasportare multipli o anche più di 50 wafer epitassiali alla volta (a seconda della dimensione del suscettore).

● Trattamento superficiale: Rivestimento SIC, resistenza alla corrosione, resistenza all'ossidazione.


È un accessorio importante per una varietà di apparecchiature di crescita del wafer epitassiale


● Industria dei semiconduttori: Utilizzato per la crescita di wafer epitassiali come LED, diodi laser e semiconduttori di potenza.

● Industria optoelettronica: Supporta la crescita epitassiale di dispositivi optoelettronici di alta qualità.

● Ricerca e sviluppo di materiali di fascia alta: Applicato alla preparazione epitassiale di nuovi semiconduttori e materiali optoelettronici.


A seconda del tipo di attrezzatura MOCVD del cliente e delle esigenze di produzione, Vetek Semiconductor fornisce servizi personalizzati, tra cui le dimensioni del suscettore, il materiale, il trattamento di superficie, ecc., Per garantire che la soluzione più adatta sia fornita ai clienti.


Struttura cristallina del film Sic CVD

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità di rivestimento SIC
3,21 g/cm³
Durezza del rivestimento SIC
2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Dimensione del grano
2 ~ 10 mm
Purezza chimica
99.99995%
Capacità termica
640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Forza di flessione
415 MPA RT 4 punti
Modulo di Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE)
4,5 × 10-6K-1

Semiconduttore Negozi di suscettori del wafer epitassiale MOCVD

SiC Coating Graphite substrateMOCVD epitaxial wafer susceptor test

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