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Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Provincia di Zhejiang, Cina
I forni di ossidazione e diffusione sono utilizzati in vari campi come dispositivi a semiconduttore, dispositivi discreti, dispositivi optoelettronici, dispositivi elettronici di potenza, celle solari e produzione di circuiti integrati su larga scala. Sono utilizzati per processi tra cui diffusione, ossidazione, ricottura, lega e sinterizzazione dei wafer.
Vetek Semiconductor è un produttore leader specializzato nella produzione di componenti di grafite di silicio, carburo di silicio e quarzo nei forni di ossidazione e diffusione. Ci impegniamo a fornire componenti del forno di alta qualità per le industrie di semiconduttore e fotovoltaiche e siamo in prima linea nella tecnologia di rivestimento superficiale, come CVD-SIC, CVD-TAC, pirocarbonio, ecc.
● Resistenza ad alta temperatura (fino a 1600 ℃)
● Eccellente conducibilità termica e stabilità termica
● Buona resistenza alla corrosione chimica
● basso coefficiente di espansione termica
● Alta resistenza e durezza
● Lunga durata di servizio
Nei forni di ossidazione e diffusione, a causa della presenza di gas ad alta temperatura e di gas corrosivi, molti componenti richiedono l'uso di materiali ad alta temperatura e resistenti alla corrosione, tra cui il carburo di silicio (SIC) è una scelta comunemente usata. I seguenti sono componenti comuni in carburo di silicio presenti nei forni di ossidazione e nei forni di diffusione:
● Boat wafer
La barca da wafer in carburo di silicio è un contenitore usato per trasportare wafer di silicio, che può resistere a temperature elevate e non reagiranno con wafer di silicio.
● Tubo del forno
Il tubo del forno è il componente centrale del forno di diffusione, utilizzato per ospitare wafer di silicio e controllare l'ambiente di reazione. Le provette da forno in carburo di silicio hanno eccellenti prestazioni di resistenza ad alta temperatura e di corrosione.
● Piatta per deflettore
Utilizzato per regolare il flusso d'aria e la distribuzione della temperatura all'interno del forno
● Tubo di protezione della termocoppia
Utilizzato per proteggere le termocoppie di misurazione della temperatura dal contatto diretto con gas corrosivi.
● Paggine a sbalzo
Le pagaie a sbalzo in carburo di silicio sono resistenti alle alte temperature e alla corrosione e vengono utilizzate per trasportare barche di silicio o barche di quarzo che trasportano wafer di silicio nei tubi del forno di diffusione.
● Iniettore a gas
Utilizzato per introdurre gas di reazione nel forno, deve essere resistente ad alta temperatura e corrosione.
● Carriera da barca
Il vettore di barche per wafer in carburo di silicio viene utilizzato per fissare e supportare i wafer di silicio, che presentano vantaggi come alta resistenza, resistenza alla corrosione e buona stabilità strutturale.
● Porta della fornace
I rivestimenti o i componenti in carburo di silicio possono anche essere utilizzati all'interno della porta della fornace.
● Elemento di riscaldamento
Gli elementi di riscaldamento in carburo di silicio sono adatti a temperature elevate, elevata potenza e possono aumentare rapidamente le temperature a oltre 1000 ℃.
● Liner SIC
Utilizzato per proteggere la parete interna dei tubi del forno, può aiutare a ridurre la perdita di energia termica e resistere a ambienti duri come alta temperatura e alta pressione.
Shop high-performance Oxidation and Diffusion Furnace components at Veteksemicon—your trusted source for SiC-based thermal process solutions.
Veteksemicon supplies premium-grade silicon carbide (SiC) components designed specifically for oxidation and diffusion furnace systems in semiconductor manufacturing. These SiC parts exhibit excellent thermal shock resistance, high mechanical strength, and long-term dimensional stability in ultra-high-temperature and oxidizing environments. Ideal for process temperatures exceeding 1200°C, they are widely used in atmospheric and low-pressure diffusion systems, oxidation furnaces, and vertical thermal reactors.
Our product portfolio includes SiC cantilevers, boats, support rods, and tube liners, all engineered for precise wafer positioning and minimal particle contamination. The low thermal expansion coefficient of SiC helps maintain alignment across thermal cycles, while its chemical inertness ensures compatibility with O₂, N₂, H₂, and dopant gases. Whether for dry oxidation or dopant diffusion (e.g., phosphorus or boron), Veteksemicon’s diffusion furnace solutions enhance process stability, extend maintenance intervals, and support 200mm/300mm wafer formats.
For technical drawings, material datasheets, or quotation support, please visit Veteksemicon’s Oxidation and Diffusion Furnace product page or contact our application engineers.
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