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Epitassia del silicio

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Epi Supporter

Epi Supporter

Il suscettore EPI è progettato per le esigenti applicazioni di apparecchiature epitassiali. La sua struttura di grafite rivestita in carburo di silicio ad alta purezza (SIC) offre un'eccellente resistenza al calore, uniforme uniformità termica per lo spessore e la resistenza dello strato epitassiale coerente e la resistenza chimica a lungo termine. Non vediamo l'ora di cooperare con te.
Perfletto di rivestimento CVD SIC

Perfletto di rivestimento CVD SIC

Il deflettore del rivestimento SIC CVD di Vetek è utilizzato principalmente nell'epitassia SI. Di solito viene utilizzato con barili di estensione al silicio. Combina l'esclusiva alta temperatura e stabilità del deflettore del rivestimento SIC CVD, che migliora notevolmente la distribuzione uniforme del flusso d'aria nella produzione di semiconduttori. Riteniamo che i nostri prodotti possano offrirti una tecnologia avanzata e soluzioni di prodotto di alta qualità.
Susoce del barilotto rivestito di SIC

Susoce del barilotto rivestito di SIC

L'epitassia è una tecnica utilizzata nella produzione di dispositivi semiconduttori per far crescere nuovi cristalli su un chip esistente per creare un nuovo strato semiconduttore. VeTek Semiconductor offre una serie completa di soluzioni di componenti per camere di reazione epitassiale in silicio LPE, offrendo lunga durata, qualità stabile ed epitassiale migliorato resa dello strato. Il nostro prodotto, come il Susceptor a barilotto rivestito in SiC, ha ricevuto feedback sulla posizione da parte dei clienti. Forniamo anche supporto tecnico per Si Epi, SiC Epi, MOCVD, epitassia UV-LED e altro ancora. Sentiti libero di chiedere informazioni sui prezzi.
Se il ricevitore EPI

Se il ricevitore EPI

Cina Top Factory-VETEK Semiconductor combina le capacità di lavorazione di precisione e semiconduttore SIC e TAC. Il suscettore EPI di tipo SI a barilotto fornisce capacità di controllo della temperatura e dell'atmosfera, migliorando l'efficienza della produzione nei processi di crescita epitassiale a semiconduttore.
Così lezioni Epi rivestite

Così lezioni Epi rivestite

Poiché il miglior produttore domestico di rivestimenti in carburo di silicio e carburo di TantaLum, il semiconduttore Vetek è in grado di fornire una lavorazione di precisione e un rivestimento uniforme del suscettore EPI rivestito SIC, controllando efficacemente la purezza del rivestimento e del prodotto al di sotto delle 5ppm. La vita del prodotto è paragonabile a quella di SGL. Benvenuti a chiederci.
LPE If Epi Supporter Set

LPE If Epi Supporter Set

Suscettore piatto e suscettore a barilotto sono la forma principale dei suscettori EPI. VETEK Semiconductor è un produttore e innovatore di suscettori epi di LPE di LPE in Cina. Siamo stati specializzati nel rivestimento SIC e il rivestimento TAC per molti anni. Offriamo un susceptor LPE SI EPI LPE SI Set progettato specificamente per i wafer LPE PE2061S 4 ". Il grado di abbinamento di materiale di grafite e il rivestimento SIC è buono, l'uniformità è eccellente e la vita è lunga, il che può migliorare la resa della crescita dello strato epitassiale durante l'LPE (epitassia della fase liquida) Process. Ti diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica in Cina.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


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