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Epitassia del silicio

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Suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6 pollici

Suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6 pollici

Il suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6'' è uno dei componenti principali utilizzati nell'elaborazione dei wafer epitassiali di wafer da 6''. VeTek Semiconductor è attualmente un produttore e fornitore leader di suscettori pancake rivestiti in SiC per wafer LPE PE3061S da 6'' in Cina. Il suscettore per pancake rivestito in SiC che fornisce ha caratteristiche eccellenti come elevata resistenza alla corrosione, buona conduttività termica e buona uniformità. In attesa della tua richiesta.
Supporto rivestito SIC per LPE PE2061S

Supporto rivestito SIC per LPE PE2061S

Vetek Semiconductor è un produttore leader e fornitore di componenti di grafite rivestiti in Cina. Il supporto rivestito SIC per LPE PE2061S è adatto al reattore epitassiale al silicio LPE. Mentre il fondo della base a canna, il supporto rivestito SIC per LPE PE2061 può resistere a temperature elevate di 1600 gradi Celsius, raggiungendo così la vita di prodotti ultra-lunghi e riducendo i costi dei clienti. In attesa della tua richiesta e ulteriore comunicazione.
Piastra superiore rivenata SIC per LPE PE2061S

Piastra superiore rivenata SIC per LPE PE2061S

VeTek Semiconductor è da molti anni profondamente impegnata nei prodotti di rivestimento SiC ed è diventato un produttore e fornitore leader di piastre superiori rivestite in SiC per LPE PE2061S in Cina. La piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S che forniamo è progettata per reattori epitassiali in silicio LPE e si trova sulla parte superiore insieme alla base del cilindro. Questa piastra superiore rivestita in SiC per LPE PE2061S presenta caratteristiche eccellenti come elevata purezza, eccellente stabilità termica e uniformità, che aiutano a far crescere strati epitassiali di alta qualità. Non importa il prodotto di cui hai bisogno, attendiamo con ansia la tua richiesta.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


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