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Anello di rivestimento TaC
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Anello di rivestimento TaC

L'anello di rivestimento TAC è un componente ad alte prestazioni progettato per l'uso nei processi a semiconduttore, l'anello di rivestimento TAC a semiconduttore VETEK ha un'elevata stabilità termica, resistenza alla corrosione chimica e eccellente resistenza meccanica dove un controllo preciso e una durata sono essenziali per raggiungere wafer di alta qualità. Non vediamo l'ora della tua ulteriore consultazione.

L'anello di rivestimento TAC di Vetek Semiconductor è realizzato con grafite di alta qualità e rivestito con carburo di TantaLum (TAC), un materiale noto per le sue proprietà superiori, è un componente indispensabile nella lavorazione del wafer a semiconduttore.


Le caratteristiche chiave e i vantaggi dell'anello di rivestimento TAC a semiconduttore Vetek:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section

● Elevata stabilità termica: Una delle caratteristiche più importanti dell'anello di rivestimento in carburo di tantalio è la sua capacità di resistere alle alte temperature, un fattore critico nell'incisione dei semiconduttori. Il processo di incisione del SiC prevede l'esposizione a temperature elevate e gas reattivi, mentre il rivestimento in carburo di tantalio garantisce che l'anello rimanga stabile e mantenga la sua integrità strutturale anche in queste condizioni difficili. Questa resilienza termica garantisce che il componente continui a funzionare in modo ottimale per periodi prolungati.


●  Resistenza meccanica migliorata: La combinazione di grafite ad alta resistenza e rivestimento TaC si traduce in un componente con proprietà meccaniche migliorate, rendendo l'anello rivestito in TaC altamente resistente all'usura. La sua resistenza meccanica è fondamentale per mantenere saldamente in posizione i wafer SiC, garantendo un'incisione accurata e prevenendo qualsiasi deformazione durante il processo.


●  Resistenza alla corrosione chimica: Nei processi di semiconduttore come l'attacco SiC, i componenti sono spesso esposti a sostanze chimiche aggressive e gas reattivi. Il rivestimento in carburo di TantaLum fornisce un'eccellente protezione contro la corrosione, estendendo in modo significativo la vita utile dell'anello e minimizzando la necessità di frequenti sostituti. Questa resistenza è particolarmente importante nel processo di attacco, in cui i componenti sono in costante contatto con sostanze chimicamente reattive.


●  Rivestimenti CoatiTaC superiori per prestazioni migliorate: Il rivestimento in carburo di tantalio sull'anello di grafite fornisce una superficie robusta che migliora le prestazioni complessive del componente. Il carburo di tantalio è rinomato per il suo elevato punto di fusione (circa 3.880°C) e la sua eccellente resistenza alle reazioni chimiche, soprattutto negli ambienti aggressivi tipicamente incontrati durante i processi di produzione dei semiconduttori. Questo rivestimento in carburo di tantalio migliora significativamente la durata del prodotto, fornendo una durata superiore rispetto agli anelli in grafite non rivestiti.


●  Resistenza meccanica migliorata: La combinazione di grafite ad alta resistenza e rivestimento TaC si traduce in un componente con proprietà meccaniche migliorate, rendendo l'anello rivestito in TaC altamente resistente all'usura. La sua resistenza meccanica è fondamentale per mantenere saldamente in posizione i wafer SiC, garantendo un'incisione accurata e prevenendo qualsiasi deformazione durante il processo.


Come principale fornitore di anelli di rivestimento TAC, produttore e fabbrica in Cina, Vetek Semiconductor è stato a lungo impegnato a fornire prodotti avanzati di anello di rivestimento TAC e soluzioni tecniche per il settore della lavorazione dei semiconduttori e supporta servizi di prodotto personalizzati. Veteksemi non vede l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina.


Proprietà fisiche del rivestimento TAC

Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità del rivestimento TaC
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6,3*10-6/K
Durezza del rivestimento TaC (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza
1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10 ~ -20um
Spessore del rivestimento
≥20um Valore tipico (35um ± 10um)

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