Wafer di nitruro di alluminio (AlN).

1. Caratteristiche principali e vantaggi

• Bandgap ultra ampio ≈ 6,2 eV: il più alto tra i materiali semiconduttori tradizionali

• Elevata conduttività termica ≈ 320 W/m·K per un'efficiente dissipazione del calore

• Eccellente isolamento elettrico (>10¹³ Ω·cm) ed elevato campo di rottura (12–15 MV/cm)

• Buon reticolo e abbinamento di espansione termica con GaN: ideale per eterostrutture GaN su AlN

• Opzioni a bassa densità di dislocazione con stretto controllo della curva di oscillazione HR-XRD

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) e N-face MP per superfici epi-ready

• Molteplici dimensioni e gradi di qualità (P / R / D) per soddisfare le esigenze di produzione e ricerca

2. Applicazioni tipiche

• Dispositivi RF ad alta potenza per comunicazioni radar e 6G

• Elettronica di potenza ad alta tensione per reti, data center e veicoli elettrici

• LED e diodi laser nell'ultravioletto profondo (UVC).

• Crescita epitassiale GaN-su-AlN e dispositivi eterostrutturati avanzati

• Componenti semiconduttori ad alta temperatura, alta frequenza e ambienti difficili

3. Taglie disponibili e gradi di qualità

VeTek offre wafer AlN nei seguenti formati standard. Dimensioni e specifiche personalizzate possono essere discusse su richiesta.

• Substrati quadrati 10×10 mm

• Wafer da 1 pollice (25,4 mm).

• Wafer da 2 pollici (50,8 mm).

Gradi di qualità: grado P (prodotto), grado R (ricerca), grado D (sperimentale), differenziati principalmente dalla curva di oscillazione FWHM HR-XRD e dalla qualità complessiva dei cristalli.

4. Specifiche tecniche principali

Parametri comuni a tutte le taglie (valori tipici; dipendenti dal grado dove indicato):

Tolleranze geometriche specifiche per dimensione:

• 10×10 mm: Lunghezza lato 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15μm; Arco ≤ 15 μm

• 1 pollice: diametro 25,4 mm ± 0,5 mm; Area utilizzabile ≥ 90%; TTV ≤ 20μm; Arco ≤ 20 μm; Piatto primario (10-10) ± 5°, lunghezza 8 mm ± 1 millimetro

• 2 pollici: diametro 50,8 mm ± 0,5 mm; Area utilizzabile ≥ 90%; TTV ≤ 30μm; Arco ≤ 30 μm; Lunghezza piatto primario 16 mm ± 2 mm

5. Perché scegliere i wafer VeTek AlN?

In qualità di fornitore specializzato di materiali e componenti semiconduttori avanzati, VeTek Semiconductor fornisce:

• Wafer monocristallino AlN di alta qualità con qualità dei cristalli controllata e superfici epi-ready

• Molteplici opzioni di dimensioni e qualità per supportare sia la produzione di dispositivi che i programmi di ricerca

• Soluzioni complementari di wafer e substrati nel portafoglio di materiali semiconduttori VeTek

• Supporto tecnico per la selezione dei materiali e l'abbinamento dei processi

I nostri wafer AlN aiutano i clienti ad accelerare lo sviluppo di dispositivi optoelettronici RF ad alta potenza, ad alta tensione e UV profondo che richiedono la combinazione unica di bandgap ultra ampio, elevata conduttività termica e compatibilità GaN offerta dal nitruro di alluminio.