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Supporto RTA in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) CVD
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Supporto RTA in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) CVD

Il supporto RTA RTA in grafite rivestito in carburo di silicio (SiC) VETEK CVD è progettato per sistemi di trattamento termico rapido (RTP) e ricottura termica rapida (RTA) utilizzati nella produzione di semiconduttori. Realizzato in grafite isostatica di elevata purezza con un denso rivestimento SiC CVD, fornisce eccezionale stabilità termica, eccellente uniformità della temperatura, resistenza chimica superiore e generazione di particelle ultra-bassa. Progettato per resistere a cicli rapidi e ripetuti di riscaldamento e raffreddamento, il supporto garantisce un supporto affidabile dei wafer e prestazioni di processo stabili per la ricottura dei wafer di silicio e altre applicazioni di semiconduttori ad alta temperatura.

Caratteristiche del prodotto

· Attrezzatura principale:Progettato per i sistemi di ricottura termica rapida (RTA) e di elaborazione termica rapida (RTP).

· Primary Aapplicazione: Ottimizzato per i processi di ricottura dei wafer semiconduttori.

· Opevalutazione Tetemperatura:Funzionamento stabile da 200°C a 700°C.

· Excellent Thermal Uniformità: Garantisce una distribuzione uniforme del calore per una lavorazione uniforme dei wafer.

· Particelle basseGinerazione: Il rivestimento denso CVD SiC riduce al minimo la contaminazione e migliora la resa produttiva.

· Resistenza chimica superiore:Resistente all'ossidazione e ai gas di processo corrosivi durante la lavorazione termica.

· EccezionalegTermal Resistenza agli urti: Mantiene l'integrità strutturale attraverso ripetuti cicli rapidi di riscaldamento e raffreddamento.

· Lunga durata:Il rivestimento SiC resistente all'usura prolunga significativamente la durata dei componenti e riduce i costi di manutenzione.

· CostumeProduzione:Disponibili in varie dimensioni e configurazioni per adattarsi a diverse apparecchiature RTP/RTA.


Specifiche tecniche

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria
2–10 μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
Temperatura di sublimazione
2700°C
Resistenza alla flessione
415 MPa (RT, flessione a 4 punti)
Modulo di Young
430 GPa (flessione a 4 punti, 1300°C)
Conducibilità termica
300 W·m⁻¹·K⁻¹
Coefficiente di dilatazione termica (CTE)
4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹

Applicazioni

·Ricottura termica rapida (RTA)

· Elaborazione termica rapida (RTP)

· Ricottura del wafer di silicio

· Attivazione del drogante

· Ossidazione

· Diffusione

·Produzione di semiconduttori composti

·Fabbricazione MEMS

·Elaborazione di semiconduttori di potenza


Domande frequenti

1. Che cos'è un vettore RTP/RTA?

Un carrier RTP/RTA è un componente di supporto wafer utilizzato all'interno dei sistemi di elaborazione termica rapida e ricottura termica rapida. Tiene saldamente i wafer semiconduttori fornendo allo stesso tempo un trasferimento di calore uniforme durante tutto il ciclo termico.

2. Perché è preferibile il rivestimento SiC CVD?

Rispetto alla grafite nuda, il rivestimento CVD SiC offre una resistenza superiore all'ossidazione, una minore generazione di particelle, una migliore stabilità chimica e una durata di servizio significativamente più lunga.

3. VETEK può fornire vettori RTP/RTA personalizzati?

SÌ. VETEK offre vettori RTP/RTA personalizzati sulla base dei disegni del cliente.


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