Parti in grafite a mezzaluna con rivestimento in SiC

Nella camera di reazione del forno di crescita epitassiale SiC, le parti in grafite Halfmoon con rivestimento SiC sono componenti chiave per ottimizzare la distribuzione del flusso di gas, il controllo del campo termico e l'uniformità dell'atmosfera di reazione. Di solito sono realizzati con rivestimento SiCgrafite, progettato a forma di mezzaluna, situata nelle parti di grafite superiore e inferiore della camera di reazione, che circonda l'area del substrato.

    •Parte superiore in grafite a mezzaluna: installato nella parte superiore della camera di reazione, vicino all'ingresso del gas, responsabile della guida del gas di reazione a fluire verso la superficie del substrato.

    •Parte di grafite a mezzamoia inferiore: Situato nella parte inferiore della camera di reazione, di solito sotto il supporto del substrato, utilizzato per controllare la direzione del flusso di gas e ottimizzare il campo termico e la distribuzione del gas nella parte inferiore del substrato.

Durante ilProcesso di epitassia sic, la parte di grafite a mezzaluna superiore aiuta a guidare il flusso di gas ad essere distribuito uniformemente sul substrato, impedendo al gas di influire direttamente sulla superficie del substrato e causando il surriscaldamento locale o la turbolenza del flusso d'aria. La parte di grafite a mezzaluna inferiore consente al gas di fluire senza intoppi attraverso il substrato e quindi essere scaricato, impedendo al contempo alla turbolenza di influenzare l'uniformità di crescita dello strato epitassiale.

In termini di regolazione del campo termico, le parti in grafite Halfmoon con rivestimento SiC aiutano a distribuire uniformemente il calore nella camera di reazione attraverso la forma e la posizione. La parte superiore in grafite a mezzaluna può riflettere efficacemente il calore radiante del riscaldatore per garantire che la temperatura sopra il substrato sia stabile. Anche la parte inferiore in grafite a mezzaluna ha un ruolo simile, aiutando a distribuire uniformemente il calore sotto il substrato attraverso la conduzione del calore per evitare eccessive differenze di temperatura.

Il rivestimento SiC rende i componenti resistenti alle alte temperature e termicamente conduttivi, quindi le parti a mezzaluna di VeTek Semiconductor hanno una lunga durata. Progettate con cura, le nostre parti in grafite a mezzaluna per l'epitassia SiC possono essere perfettamente integrate in molti reattori epitassiali, contribuendo a migliorare l'efficienza e l'affidabilità complessive del processo di produzione dei semiconduttori. Qualunque sia la necessità delle parti in grafite Halfmoon con rivestimento SiC, contatta VeTek Semiconductor.

VeteksemSIC COAT IN MEFMOON GRAPHITE SHOPS: