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Presso Vetek Semiconductor, i campi termici in grafite sono meticolosamente progettati per soddisfare i rigorosi standard del settore fotovoltaico, garantendo prestazioni ed efficienza ottimali in varie applicazioni. Ci dedichiamo alla produzione di campi termici in grafite ad alte prestazioni che offrono qualità eccezionale ed efficienza dei costi. Non esitate a contattarci per qualsiasi domanda tecnica o prezzo.

Pull Silicon Single Crystal Jig è progettato per garantire la purezza dei wafer e il controllo preciso delle zone calde durante la cristallizzazione, offrendo soluzioni sostenibili ed efficienti per l'industria fotovoltaica. VETECHEMICON non vede l'ora di impostare con te la cooperazione a lungo termine.

Il campo termico della fornace di silicio monocristallo utilizza la grafite come crogiolo e utilizza il riscaldatore, l'anello guida, la staffa e il supporto per vaso realizzati in grafite isostatica pressata per garantire la resistenza e la purezza del crogiolo di grafite. Vetek Semiconductor produce crogiolo per il silicio monocristallino, la lunga vita, l'alta purezza, il benvenuto a consultarci.

Vetek Semiconductor si concentra sulla ricerca, sviluppo e industrializzazione di rivestimenti CVD SiC e CVD TaC. Prendendo come esempio il suscettore del rivestimento SiC, il prodotto è altamente lavorato con rivestimento CVD SIC denso e ad alta precisione, resistenza alle alte temperature e forte resistenza alla corrosione. La tua richiesta su di noi è benvenuta.

Il blocco SIC CVD per la crescita dei cristalli SIC, è una nuova materia prima ad alta purezza sviluppata da Vetek Semiconductor. Ha un elevato rapporto di input-output e può coltivare cristalli singoli in carburo di silicio di alta qualità di grandi dimensioni, che è un materiale di seconda generazione per sostituire la polvere utilizzata oggi sul mercato. Benvenuti a discutere questioni tecniche.

Il carburo di silicio ad ultra-alta purezza di Vetek Semiconductor (SIC) formata dalla deposizione di vapore chimico (CVD) è raccomandato per essere utilizzato come materiale di origine per la coltivazione di cristalli di carburo di silicio mediante trasporto di vapore fisico (PVT). Nella nuova tecnologia della crescita del cristallo SIC, il materiale di origine viene caricato in un crogiolo e sublimato su un cristallo di semi. Utilizzare i blocchi CVD-SIC ad alta purezza per essere una fonte per i cristalli SIC in crescita. Benvenuti per istituire una partnership con noi.