Suscettore Epi rivestito in carburo di silicio

L'epitassia a semiconduttore si riferisce alla crescita di un film sottile con una struttura reticolare specifica sulla superficie di un materiale del substrato con metodi come la fase gassosa, la fase liquida o la deposizione di raggi molecolari, in modo che lo strato di film sottile appena cresciuto (strato epitassiale) Struttura e orientamento reticolare uguale o simile del substrato. 

La tecnologia dell'epitassia è cruciale nella produzione di semiconduttori, in particolare nella preparazione di film sottili di alta qualità, come strati di cristallo singolo, eterostrutture e strutture quantistiche utilizzate per produrre dispositivi ad alte prestazioni.

Il suscettore Epi rivestito in carburo di silicio è un componente chiave utilizzato per supportare il substrato nelle apparecchiature di crescita epitassiale ed è ampiamente utilizzato nell'epitassia del silicio. La qualità e le prestazioni del piedistallo epitassiale influiscono direttamente sulla qualità di crescita dello strato epitassiale e svolgono un ruolo fondamentale nelle prestazioni finali dei dispositivi a semiconduttore.

Semiconduttoreha rivestito uno strato di rivestimento SIC sulla superficie della grafite SGL mediante metodo CVD e ha ottenuto un suscettore epi rivestito in SiC con proprietà quali resistenza alle alte temperature, resistenza all'ossidazione, resistenza alla corrosione e uniformità termica.

In un tipico reattore a botte, il suscettore EPI rivestito in carburo di silicio ha una struttura a canna. Il fondo del suscettore EPI rivestito SIC è collegato all'albero rotante. Durante il processo di crescita epitassiale, mantiene l'alternanza in senso orario e in senso antiorario. Il gas di reazione entra nella camera di reazione attraverso l'ugello, in modo che il flusso di gas costituisca una distribuzione abbastanza uniforme nella camera di reazione e infine forma una crescita uniforme dello strato epitassiale.

La relazione tra la variazione di massa della grafite rivestita di SiC e il tempo di ossidazione

I risultati degli studi pubblicati mostrano che a 1400℃ e 1600℃, la massa della grafite rivestita di SiC aumenta molto poco. Cioè, la grafite rivestita in SiC ha una forte capacità antiossidante. Pertanto, il suscettore Epi rivestito in SiC può funzionare a lungo nella maggior parte dei forni epitassiali. Se hai più requisiti o esigenze personalizzate, contattaci. Ci impegniamo a fornire soluzioni di suscettori Epi rivestiti in SiC della migliore qualità.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD

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