Epitassia in carburo di silicio

La preparazione dell'epitassia in carburo di silicio di alta qualità dipende dalla tecnologia avanzata e dagli accessori delle attrezzature e delle attrezzature. Al momento, il metodo di crescita dell'epitassia in carburo di silicio più utilizzato è la deposizione di vapore chimico (CVD). Ha i vantaggi del controllo preciso dello spessore epitassiale del film e della concentrazione di doping, meno difetti, tasso di crescita moderato, controllo automatico dei processi, ecc. Ed è una tecnologia affidabile che è stata applicata con successo commercialmente.

Epitassia CVD in carburo di silicio generalmente adotta attrezzature da parete calda o parete calda, che garantisce la continuazione dello strato di epitassia 4H SIC cristallino in condizioni di temperatura ad alta crescita (1500 ~ 1700 ℃), la parete calda o la parete calda CVD dopo anni di sviluppo, secondo la relazione della struttura del substrato, può essere diviso nella struttura della struttura verticale e verticale.

Esistono tre indicatori principali per la qualità della fornace epitassiale SIC, il primo è le prestazioni di crescita epitassiale, tra cui l'uniformità dello spessore, l'uniformità del doping, il tasso di difetto e il tasso di crescita; Il secondo è le prestazioni della temperatura dell'apparecchiatura stessa, tra cui la velocità di riscaldamento/raffreddamento, temperatura massima, uniformità della temperatura; Infine, le prestazioni dei costi dell'attrezzatura stessa, tra cui il prezzo e la capacità di una singola unità.

Isolamento a valle

Tosta di isolamento principale

Mezzamoia superiore

Isolamento a monte

Piece di transizione 2

Pezzo di transizione 1

Ugello d'aria esterno

Snorkeling affusolato

Ugello di gas argon esterno

Ugello di gas argon

Piastra di supporto del wafer

PIN di centraggio

Guardia centrale

Copertura di protezione a sinistra a valle

Copertura di protezione a destra a valle

Copertura di protezione a sinistra a monte

Copertura di protezione destra a monte

Parete laterale

Anello di grafite

Feltro protettivo

Felvo di supporto

Blocco di contatto

Cilindro di uscita a gas

(b) Tipo planetario a parete calda

Disco planetario di rivestimento SIC e disco planetario rivestito TAC

(c) Tipo di in piedi da parete quasi-termica

Nuflare (Giappone): questa azienda offre forni verticali a doppia camera che contribuiscono ad aumentare il rendimento della produzione. L'attrezzatura presenta una rotazione ad alta velocità fino a 1000 rivoluzioni al minuto, il che è altamente vantaggioso per l'uniformità epitassiale. Inoltre, la sua direzione del flusso d'aria differisce dalle altre apparecchiature, essendo verticalmente verso il basso, minimizzando così la generazione di particelle e riducendo la probabilità di goccioline di particelle che cadono sui wafer. Forniamo componenti di grafite rivestiti Core SIC per questa apparecchiatura.

Come fornitore di componenti di apparecchiature epitassiali SIC, Vetek Semiconductor si impegna a fornire ai clienti componenti di rivestimento di alta qualità per supportare la riuscita implementazione dell'epitassia SIC.