Anello guida a tre petali rivestito CVD TAC

Il materiale a substrato a cristallo singolo in carburo di silicio è una sorta di materiale cristallino, che appartiene a materiale a semiconduttore a banda largo. Ha i vantaggi di resistenza ad alta tensione, resistenza ad alta temperatura, alta frequenza, bassa perdita, ecc. È un materiale di base per la preparazione di dispositivi elettronici di potenza ad alta potenza e dispositivi a radiofrequenza a microonde. Allo stato attuale, i metodi principali per i cristalli SIC in crescita sono il trasporto di vapore fisico (metodo PVT), la deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (metodo HTCVD), il metodo della fase liquida, ecc.

Il metodo di trasporto del vapore fisico (PVT) è una tecnica ben consolidata altamente adatta per la produzione industriale su larga scala. In questo processo, un cristallo di semi SiC è posizionato nella parte superiore del crogiolo, mentre la polvere Sic, che funge da materia prima, è posizionata sul fondo del crogiolo. Nelle condizioni di alta temperatura e bassa pressione all'interno di un ambiente chiuso, la polvere SiC sublima. Spinte dal gradiente di temperatura e dalla differenza di concentrazione, le specie sublimate si spostano verso l'alto verso la regione vicino al cristallo di semi. Una volta raggiunto uno stato sovrasaturo, si verifica la ricristallizzazione, consentendo un controllo preciso sulla dimensione e sul tipo di cristallo specifico dei cristalli SIC coltivati.

L'anello a tre - petalo con rivestimento CVD TAC serve molteplici funzioni cruciali. In primo luogo, migliora la meccanica dei fluidi guidando il flusso di gas, garantendo che l'area di crescita dei cristalli sia esposta a un'atmosfera uniforme. Inoltre, dissipa efficacemente il calore durante il processo di crescita dei cristalli SIC. Mantenendo il gradiente di temperatura appropriato, ottimizza le condizioni di crescita per i cristalli SIC e mitiga il rischio di difetti cristallini causati dalla distribuzione della temperatura irregolare.