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Suscettore rivestito in SiC MOCVD
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Suscettore rivestito in SiC MOCVD

Il susceptor rivestito in SiC VETEK MOCVD è una soluzione portante progettata con precisione appositamente sviluppata per la crescita epitassiale di LED e semiconduttori composti. Dimostra eccezionale uniformità termica e inerzia chimica all'interno di ambienti MOCVD complessi. Sfruttando il rigoroso processo di deposizione CVD di VETEK, ci impegniamo a migliorare la coerenza della crescita dei wafer e a prolungare la durata dei componenti principali, fornendo garanzie di prestazioni stabili e affidabili per ogni lotto di produzione di semiconduttori.

Parametri tecnici


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
FCC fase β policristallina, principalmente orientamento (111).
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria
2~10μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Resistenza alla flessione
415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young
Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC


Definizione e composizione del prodotto


Il suscettore rivestito SiC VETEK MOCVD è un componente premium per il trasporto di wafer progettato specificamente per la lavorazione epitassiale di semiconduttori di terza generazione, come GaN e SiC. Questo prodotto integra le proprietà fisiche superiori di due materiali ad alte prestazioni:


Substrato di grafite ad elevata purezza: Prodotto utilizzando la tecnologia di pressatura isostatica per garantire che il materiale di base possieda un'eccezionale integrità strutturale, alta densità e stabilità al trattamento termico.

Rivestimento SiC CVD: Uno strato protettivo denso e privo di tensioni in carburo di silicio (SiC) viene sviluppato sulla superficie della grafite attraverso la tecnologia avanzata di deposizione chimica in fase vapore (CVD).


Perché VETEK è la tua garanzia di rendimento


Massima precisione nel controllo dell'uniformità termica: A differenza dei supporti convenzionali, i suscettori VETEK raggiungono un trasferimento di calore altamente sincronizzato su tutta la superficie attraverso il controllo di precisione su scala nanometrica dello spessore del rivestimento e della resistenza termica. Questa sofisticata gestione termica riduce al minimo la deviazione standard della lunghezza d'onda (STD) sulla superficie del wafer, migliorando significativamente sia la qualità del singolo wafer che la consistenza complessiva del batch.

Protezione a lungo termine con zero contaminazione da particelle: Nelle camere di reazione MOCVD contenenti gas altamente corrosivi, i normali piedistalli in grafite sono soggetti a sfaldamento delle particelle. Il rivestimento CVD SiC di VETEK possiede un'eccezionale inerzia chimica, agendo come uno scudo impenetrabile che sigilla i micropori di grafite. Ciò garantisce l'isolamento totale delle impurità del substrato, prevenendo qualsiasi contaminazione degli strati epitassiali di GaN o SiC.

Eccezionale resistenza alla fatica e durata di servizio:Grazie al processo di trattamento dell'interfaccia proprietario di VETEK, il nostro rivestimento SiC raggiunge un adattamento ottimizzato dell'espansione termica con il substrato di grafite. Anche in caso di cicli termici ad alta frequenza tra temperature estreme, il rivestimento mantiene un'adesione superiore senza staccarsi o sviluppare microfessure. Ciò riduce significativamente la frequenza della manutenzione dei pezzi di ricambio e abbassa il costo totale di proprietà.


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