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Fondo per collezionista di rivestimento SIC
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Fondo per collezionista di rivestimento SIC

Con la nostra esperienza nella produzione di rivestimento SIC CVD, Vetek Semiconductor presenta orgogliosamente il fondo, il centro e la parte superiore del collettore di rivestimento Aixtron SiC. Questi fondo per collezionisti di rivestimento SIC sono costruiti utilizzando grafite ad alta purezza e sono rivestiti con SIC CVD, garantendo impurità inferiore alle 5 ppm. Sentiti libero di contattarci per ulteriori informazioni e richieste.

Vetek Semiconductor è il produttore impegnato a fornire alta qualitàRivestimento CVD TACe CVD SIC Coating Collector Bottom e lavora a stretto contatto con le attrezzature Aixtron per soddisfare le esigenze dei nostri clienti. Sia nell'ottimizzazione del processo o nello sviluppo di nuovi prodotti, siamo pronti a fornirti supporto tecnico e rispondere a qualsiasi domanda tu possa avere.

Funzione principale del prodotto

Garanzia di stabilità del processo

Controllo del gradiente di temperatura: ±1.5℃/cm@1200℃


Ottimizzazione del campo di flusso: la progettazione speciale del canale rende l'uniformità di distribuzione del gas di reazione fino al 92,6%


Meccanismo di protezione delle attrezzature

Dual Protection:


Tampone di shock termico: resistere a 10 ℃/s VAPPIO DI TEMPERA DI TEMPERATURA


Intercettazione delle particelle: trapping> particelle di sedimenti 0,3 μm


Nel campo della tecnologia all'avanguardia

Direzione dell'applicazione
Parametri di processo specifici
Valore del cliente
Grado IGBT
10^17/cm³ uniformità del doping  La resa è aumentata dell'8-12%
Dispositivo RF 5G
Rugosità superficiale <0,15 nm RA
La mobilità del vettore è aumentata del 15%
Attrezzatura PV HJT  Test di invecchiamento anti-PID> 3000 cicli
Ciclo di manutenzione dell'attrezzatura esteso a 9000 ore

Controllo della qualità dell'intero processo

Sistema di tracciabilità della produzione

Fonte di materie prime: Tokai/Toyo Grafite dal Giappone, SGL Grafite dalla Germania

Monitoraggio dei gemelli digitali: ogni componente è abbinato a un database di parametri di processo indipendente


Scenario dell'applicazione:

Produzione di semiconduttori di terza generazione

Scenario: crescita epitassiale SIC da 6 pollici (controllo di spessore di 100-150 μm)

Modello compatibile: Aixtron G5 WW/CRIUS II




Utilizzando il collettore con rivestimento Aixtron SIC TOP, Collector Center e Collector rivestito SIC, la gestione termica e la protezione chimica nei processi di produzione di semiconduttori possono essere ottimizzati, l'ambiente di crescita del film può essere ottimizzato e la qualità e la coerenza del film possono essere migliorate. La combinazione di questi componenti nelle apparecchiature Aixtron garantisce condizioni di processo stabili e una produzione efficiente dei semiconduttori.




Dati SEM del film CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM


Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità 3,21 g/cm³
Durezza 2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Dimensione del grano 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99.99995%
Capacità termica 640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPA RT 4 punti
Modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Panoramica del semiconduttore Catena industria epitassia di chip

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


SemiconduttoreFondo per collezionista di rivestimento SICNegozio di produzione

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