Rivestimento in carburo di tantalio

VeTek semiconductor è un produttore leader di materiali di rivestimento in carburo di tantalio per l'industria dei semiconduttori. La nostra offerta di prodotti principali comprende parti di rivestimento in carburo di tantalio CVD, parti di rivestimento in TaC sinterizzato per la crescita dei cristalli SiC o il processo di epitassia dei semiconduttori. Superato ISO9001, VeTek Semiconductor ha un buon controllo sulla qualità. VeTek Semiconductor si impegna a diventare innovatore nel settore del rivestimento in carburo di tantalio attraverso la ricerca e lo sviluppo continui di tecnologie iterative.

I prodotti principali sonoAnello guida rivestito in TaC, Anello guida a tre petali rivestito in CVD TaC, Mezzaluna rivestita in TaC al carburo di tantalio, Suscettore epitassiale planetario SiC con rivestimento CVD TaC, Anello di rivestimento in carburo di tantalio, Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio, Suscettore di rotazione del rivestimento TaC, Anello in carburo di tantalio, Piastra di rotazione del rivestimento TaC, Suscettore wafer rivestito in TaC, Anello deflettore rivestito in TaC, Copertura con rivestimento CVD TaC, Mandrino rivestito in TaCecc., la purezza è inferiore a 5 ppm e può soddisfare le esigenze del cliente.

La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad elevata purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo proprietario di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Il vantaggio è mostrato nell'immagine seguente:

Excellent properties of TaC coating graphite

Il rivestimento in carburo di tantalio (TaC) ha attirato l'attenzione grazie al suo elevato punto di fusione fino a 3880°C, all'eccellente resistenza meccanica, durezza e resistenza agli shock termici, che lo rendono un'alternativa interessante ai processi di epitassia composti di semiconduttori con requisiti di temperatura più elevati, come il sistema Aixtron MOCVD e il processo epitassia LPE SiC. Ha anche un'ampia applicazione nel processo di crescita dei cristalli SiC con metodo PVT.

Caratteristiche principali:

●Stabilità della temperatura

●Purezza ultra elevata

●Resistenza a H2, NH3, SiH4,Si

●Resistenza allo stock termico

●Forte adesione alla grafite

●Copertura del rivestimento conforme

● Dimensioni fino a 750 mm di diametro(L'unico produttore in Cina raggiunge queste dimensioni)

Applicazioni:

●Porta-wafer

● Suscettore di riscaldamento induttivo

● Elemento riscaldante resistivo

●Disco satellitare

●Soffione doccia

●Anello guida

●Ricevitore Epi LED

●Ugello di iniezione

●Anello di mascheramento

● Scudo termico

Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

Parametro del rivestimento in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor:

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità	14,3 (g/cm³)
Emissività specifica	0.3
Coefficiente di dilatazione termica	6.310^-6/K
Durezza (HK)	2000 Hong Kong
Resistenza	1×10^-5Ohm*cm
Stabilità termica	<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia	-10~-20um
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Dati EDX del rivestimento TaC：

EDX data of TaC coating

Dati sulla struttura cristallina del rivestimento TaC:

Elemento	Percentuale atomica
	Pt. 1	Pt. 2	Pt. 3	Media
CK	52.10	57.41	52.37	53.96
Loro	47.90	42.59	47.63	46.04

Mandrino con rivestimento TaC Disco planetario con rivestimento TaC
Piastra rivestita in TaC Piastra di rotazione del rivestimento TaC Ricevitore con rivestimento TaC Copertura con rivestimento CVD TaC Anello di rivestimento CVD TaC Piastra di rivestimento TaC

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Copertura del rivestimento CVD TAC

La copertura del rivestimento TAC CVD fornita da Vetek Semiconductor è un componente altamente specializzato progettato specificamente per applicazioni esigenti. Con le sue caratteristiche avanzate e le prestazioni eccezionali, la nostra copertura per rivestimento CVD TAC offre diversi vantaggi chiave. La nostra copertura per rivestimento TAC CVD fornisce la protezione e le prestazioni necessarie per il successo. Non vediamo l'ora di esplorare la potenziale cooperazione con te!

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Sussettore planetario di rivestimento TAC

TAC Coating Planetary Susceptor è un prodotto eccezionale per l'attrezzatura epitassia Aixtron. Il rivestimento TAC di Vetek Semiconductor offre un'eccellente resistenza ad alta temperatura e inerzia chimica. Questa combinazione unica garantisce prestazioni affidabili e una lunga durata, anche in ambienti esigenti. Vetek è impegnata a fornire prodotti di alta qualità e al servizio di partner a lungo termine nel mercato cinese con prezzi competitivi.

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Piastra di supporto al piedistallo di rivestimento TAC

Il rivestimento TAC può resistere ad alta temperatura di 2200 ℃. Vetek Semiconductor fornisce un rivestimento TAC ad alta purezza con impurità inferiori alle 5 ppm in Cina. La piastra di supporto del piedistallo di rivestimento TAC è in grado di resistere all'idrogeno di ammoniaca, argonina nella camera di reazione del dispositivo epitassiale. Migliora la durata del prodotto. Fornisci i requisiti, forniamo personalizzazione.

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TAC rivestimento Chuck

Il chuck di rivestimento TAC di Vetek Semiconductor presenta un rivestimento di alta qualità, noto per la sua eccezionale resistenza ad alta temperatura e inerzia chimica, in particolare nei processi di epitassia (SIC) di carburo di silicio (SIC). Con le sue caratteristiche eccezionali e prestazioni superiori, il nostro TAC Coating Chuck offre diversi vantaggi chiave. Ci impegniamo a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di essere il tuo partner a lungo termine in Cina.

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Anello di rivestimento CVD TAC

Nell'industria dei semiconduttori, l'anello di rivestimento CVD TAC è un componente altamente vantaggioso progettato per soddisfare i requisiti impegnativi dei processi di crescita del cristallo di carburo di silicio (SIC). L'anello di rivestimento TAC CVD TAC di Vetek Semiconductor offre una resistenza eccezionale ad alta temperatura e inerzia chimica, rendendola una scelta ideale per gli ambienti caratterizzati da temperature elevate e condizioni corrosive. Ci impegniamo a creare una produzione efficiente di accessori a cristallo singolo in carburo di silicio. Pls non esitate a contattarci per ulteriori domande.

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Mezzalmo epi di lpe siic

LPE SIC EPI Halfmoon è un design speciale per la fornace epitassia orizzonazionale, un prodotto rivoluzionario progettato per elevare i processi di epitassia SIC del reattore del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni e efficienza superiori durante le operazioni di produzione. VETEK Semiconductor è professionale nella produzione di mezzamola EPI LPE SIC in 6 pollici, 8 pollici.

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Come produttore e fornitore professionista Rivestimento in carburo di tantalio in Cina, abbiamo la nostra fabbrica. Sia che tu abbia bisogno di servizi personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche della propria regione o desideri acquistare avanzati e durevoli Rivestimento in carburo di tantalio realizzati in Cina, puoi lasciarci un messaggio.

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Rivestimento in carburo di tantalio

Caratteristiche principali:

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Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica:

Parametro del rivestimento in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor:

Dati EDX del rivestimento TaC：

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