Sussettore planetario di rivestimento TAC

Nel regno della produzione di semiconduttori, il suscettore planetario del rivestimento TAC svolge un ruolo cruciale. È ampiamente utilizzato nella crescita degli strati epitassiali in carburo di silicio (SIC) in apparecchiature come il sistema Aixtron G5. Inoltre, se utilizzato come disco esterno nella deposizione di rivestimento in carburo di TantaLum (TAC) per l'epitassia SIC, il suscettore planetario di rivestimento TAC fornisce supporto e stabilità essenziali. Garantisce una deposizione uniforme dello strato di carburo di Tantalum, contribuendo alla formazione di strati epitassiali di alta qualità con eccellente morfologia superficiale e spessore del film desiderato. L'inerzia chimica del rivestimento TAC impedisce reazioni e contaminazione indesiderati, mantenendo l'integrità degli strati epitassiali e garantendo la loro qualità superiore.

L'eccezionale conduttività termica del rivestimento TAC consente un efficiente trasferimento di calore, promuovendo la distribuzione uniforme della temperatura e minimizzando lo stress termico durante il processo di crescita epitassiale. Ciò si traduce nella produzione di strati epitassiali SIC di alta qualità con proprietà cristallografiche migliorate e conducibilità elettrica migliorata.

Le dimensioni precise e la robusta costruzione del disco planetario del rivestimento TAC rendono facile l'integrazione nei sistemi esistenti, garantendo una compatibilità senza soluzione di continuità e un funzionamento efficiente. Le sue prestazioni affidabili e il rivestimento TAC di alta qualità contribuiscono a risultati coerenti e uniformi nei processi di epitassia SIC.

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