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Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio (TaC) per la crescita dei cristalli SiC
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Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio (TaC) per la crescita dei cristalli SiC

La grafite porosa rivestita in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor è l'ultima innovazione nella tecnologia di crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC). Progettato per campi termici ad alte prestazioni, questo materiale composito avanzato fornisce una soluzione superiore per la gestione della fase vapore e il controllo dei difetti nel processo PVT (Physical Vapor Transport).

La grafite porosa rivestita in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor è progettata per ottimizzare l'ambiente di crescita dei cristalli SiC attraverso quattro funzioni tecniche principali:


Filtrazione dei componenti del vapore: La precisa struttura porosa agisce come un filtro di elevata purezza, garantendo che solo le fasi di vapore desiderate contribuiscano alla formazione dei cristalli, migliorando così la purezza complessiva.

Controllo preciso della temperatura: Il rivestimento TaC migliora la stabilità termica e la conduttività, consentendo regolazioni più accurate dei gradienti di temperatura locali e un migliore controllo sui tassi di crescita.

Direzione del flusso guidata: Il design strutturale facilita un flusso guidato di sostanze, garantendo che i materiali vengano consegnati esattamente dove necessario per promuovere una crescita uniforme.

Controllo efficace delle perdite: Il nostro prodotto offre eccellenti proprietà sigillanti per mantenere l'integrità e la stabilità dell'atmosfera di crescita.


Proprietà fisiche del rivestimento TaC

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità del rivestimento TaC
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6,3*10-6/K
Durezza del rivestimento TaC (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza
1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10~-20um
Spessore del rivestimento
Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Confronto con la grafite tradizionale

Elemento di confronto
Grafite porosa tradizionale
Carburo di tantalio poroso (TaC)
Ambiente Si ad alta temperatura
Incline alla corrosione e allo spargimento
Stabile, quasi nessuna reazione
Controllo delle particelle di carbonio
Può diventare una fonte di inquinamento
Filtrazione ad alta efficienza, senza polvere
Durata di servizio
Corto, richiede una sostituzione frequente
Ciclo di manutenzione notevolmente esteso

Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Impatto sull'applicazione: minimizzazione dei difetti nel processo PVT

Optimizing SiC Crystal Quality


Nel processo PVT (Physical Vapor Transport), la sostituzione della grafite convenzionale con la grafite porosa rivestita in TaC di VeTek risolve direttamente i difetti comuni mostrati nel diagramma:


Elimitazione delle inclusioni di carbonio: Agendo come barriera alle particelle solide, elimina efficacemente le inclusioni carboniose e riduce i microtubi comuni nei crogioli tradizionali.

Preservare l’integrità strutturale: Previene la formazione di alveoli e microtubuli durante la crescita del singolo cristallo SiC a ciclo lungo.

Resa e qualità più elevate: Rispetto ai materiali tradizionali, i componenti rivestiti in TaC garantiscono un ambiente di crescita più pulito, con conseguente qualità dei cristalli e resa produttiva significativamente più elevate.




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