Vettore di wafer satellitare Aixtron

Aixtron Satellite Wafer Carrier è parte integrante dell'attrezzatura MOCVD Aixtron, appositamente utilizzata per trasportare wafer per la crescita epitassiale. È particolarmente adatto per ilcrescita epitassialeProcesso di dispositivi GAN e Silicon Carbide (SIC). Il suo unico design "satellite" non solo garantisce l'uniformità del flusso di gas, ma migliora anche l'uniformità della deposizione del film sulla superficie del wafer.

Aixtron'sportatori di waferdi solito sono fatti disilicio carburo (sic)o grafite con rivestimento CVD. Tra questi, il carburo di silicio (SIC) ha un'eccellente conduttività termica, resistenza ad alta temperatura e coefficiente di espansione termica bassa. La grafite rivestita in CVD viene rivestita in grafite con un film in carburo di silicio attraverso un processo di deposizione di vapore chimico (CVD), che può migliorare la sua resistenza alla corrosione e la resistenza meccanica. I materiali di grafite SIC e rivestiti possono resistere a temperature fino a 1.400 ° C - 1.600 ° C e hanno un'eccellente stabilità termica ad alte temperature, che è fondamentale per il processo di crescita epitassiale.

Aixtron Satellite Wafer Carrier viene utilizzato principalmente per trasportare e ruotare i wafer inProcesso MOCVDper garantire un flusso di gas uniforme e una deposizione uniforme durante la crescita epitassiale.Le funzioni specifiche sono le seguenti:

● Rotazione del wafer e deposizione uniforme: Attraverso la rotazione del vettore satellitare Aixtron, il wafer può mantenere un movimento stabile durante la crescita epitassiale, consentendo al gas di fluire uniformemente sulla superficie del wafer per garantire una deposizione uniforme dei materiali.

● Cuscinetto e stabilità ad alta temperatura: Il carburo di silicio o i materiali di grafite rivestiti possono resistere a temperature fino a 1.400 ° C - 1.600 ° C. Questa caratteristica garantisce che il wafer non si deformerà durante la crescita epitassiale ad alta temperatura, impedendo al contempo l'espansione termica del vettore stesso di influenzare il processo epitassiale.

● Generazione di particelle ridotta: I materiali di trasporto di alta qualità (come SIC) hanno superfici lisce che riducono la generazione di particelle durante la deposizione di vapore, riducendo così al minimo la possibilità di contaminazione, che è fondamentale per produrre materiali a semiconduttore di alta purezza e di alta qualità.

Il vettore di wafer satellitare Aixtron di Veteksemicon è disponibile in dimensioni di wafer da 100 mm, 150 mm, 200 mm e ancora più grandi e può fornire servizi di prodotto personalizzati in base alle apparecchiature e ai requisiti di processo. Speriamo sinceramente di essere il tuo partner a lungo termine in Cina.

Dati SEM della struttura cristallina del film SIC CVD：

Aixtron Satellite Wafer Carrier Production Shops: