Gesta per doccia in grafite rivestita di CVD SIC

Gesta doccia a grafite rivestita di veteksemicon CVD CVD SIC, la sua superficie ingegnerizzata di precisione garantisce una distribuzione uniforme del gas, che è fondamentale per ottenere una coerente deposizione cinematografica attraverso i wafer. ILRivestimento sicNon solo migliora la resistenza all'usura e la resistenza all'ossidazione, ma estende anche la durata di servizio in condizioni di processo difficili.

Ampiamente applicato nella fabbricazione di wafer a semiconduttore, nell'epitassia e nella deposizione a film sottile, il soffione di doccia di grafite con rivestimento CVD SIC è una scelta ideale per i produttori che cercano componenti affidabili, di alta purezza e di lunga durata che soddisfano le esigenze della produzione di semiconduttori di prossima generazione.

La doccia in carburo di silicio CVD Veteksemi è fabbricato con carburo di silicio depositato a vapore chimico ad alta purezza ed è ottimizzato per i processi CVD e MOCVD nelle industrie elettroniche a semiconduttore, LED e avanzate. La sua eccezionale stabilità termica, resistenza alla corrosione e distribuzione uniforme del gas assicurano un funzionamento stabile a lungo termine in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosiva, migliorando significativamente la ripetibilità e la resa del processo.

Vantaggi per la doccia con rivestimento per la doccia di grafite rivestiti CVD CVD VETECHEMICO

● Purezza e densità ultra-alta

Il capo doccia in grafite rivestito con CVD SIC viene prodotto utilizzando un processo CVD di alta purezza, garantendo una purezza materiale di ≥99,9995%, eliminando eventuali impurità metalliche. La sua struttura non porosa impedisce effettivamente la permeazione del gas e lo spargimento di particelle, rendendolo ideale per l'epitassia a semiconduttore e i processi di imballaggio avanzati che richiedono una pulizia estremamente elevata. Rispetto ai tradizionali componenti SIC o grafite sinterizzati, il nostro prodotto mantiene prestazioni stabili anche dopo un funzionamento prolungato ad alta temperatura, riducendo la frequenza di manutenzione e i costi di produzione.

● Eccellente stabilità termica

Nei processi CVD e MOCVD ad alta temperatura, i materiali convenzionali sono sensibili alla deformazione o al cracking a causa dello stress termico. La doccia SIC CVD resiste a temperature fino a 1600 ° C e presenta un coefficiente estremamente basso di espansione termica, garantendo la stabilità strutturale durante i rapidi aumenti e diminuzioni della temperatura. La sua conduttività termica uniforme ottimizza ulteriormente la distribuzione della temperatura all'interno della camera di reazione, riducendo al minimo le differenze di velocità di deposizione tra il bordo del wafer e il centro e migliorando l'uniformità del film.

● Corrosione anti-plasma

Durante i processi di incisione o deposizione, gas altamente corrosivi (come la CF₄, Cl₂e HBR) erodere rapidamente i componenti di quarzo o grafite convenzionali. Il materiale SIC CVD presenta un'eccezionale resistenza alla corrosione negli ambienti plasmatici, con una durata di vita 3-5 volte quella di materiali convenzionali. Il test dei clienti effettivi ha dimostrato che anche dopo 2000 ore di funzionamento continuo, la variazione della dimensione dei pori rimane entro ± 1%, garantendo la distribuzione del flusso di gas stabile a lungo termine.

● Lunga vita e basso costo di manutenzione

Mentre i tradizionali componenti di grafite richiedono frequenti sostituzioni, il soffione della doccia CVD con rivestimento SIC mantiene prestazioni stabili anche in ambienti difficili. Ciò riduce i costi complessivi di oltre il 40%. Inoltre, l'elevata resistenza meccanica del materiale impedisce danni accidentali durante la manipolazione o l'installazione.

● Approvazione della verifica della catena ecologica

La verifica della catena ecologica di Veteksemicon CVD in carburo di silicio in carbone copre le materie prime alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e ha una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei semiconduttori e nei nuovi campi energetici.

Parametri tecnici

Progetto	Parametro
Materiale	CVD SIC (Opzioni di rivestimento disponibile)
Intervallo di diametro	100mm-450mm (personalizzabile)
Tolleranza di spessore	± 0,05 mm
Rugosità superficiale	≤0,2μm
Processo applicabile	CVD/MOCVD/PECVD/Etching/Epitaxy

Campi di applicazione principali

Direzione dell'applicazione	Scenario tipico
Produzione di semiconduttori	Silicon Epitaxy, dispositivi GAN/GAAS
Elettronica di alimentazione	SIC Epitassiale Wafer Production
GUIDATO	Deposizione di substrato di zaffiro mocvd
Attrezzature di ricerca scientifica	Sistema di deposizione di film sottile ad alta precisione

Approvazione della verifica della catena ecologica

La verifica della catena ecologica di Veteksemicon CVD in carburo di silicio in carbone copre le materie prime alla produzione, ha superato la certificazione standard internazionale e ha una serie di tecnologie brevettate per garantirne l'affidabilità e la sostenibilità nei semiconduttori e nei nuovi campi energetici.

Per specifiche tecniche dettagliate, documenti bianchi o accordi di test del campione, per favoreContatta il nostro team di supporto tecnicoPer esplorare come Veteksemicon può migliorare l'efficienza del processo.