Suscettore CVD Sic Pancake

Semiconduttore Il suscettore di pancake SIC CVD è prodotto utilizzando l'ultima tecnologia di deposizione di vapore chimico (CVD) per garantire un'eccellente durata e adattabilità alla temperatura estrema. Le seguenti sono le sue principali proprietà fisiche:

● Stabilità termica: L'elevata stabilità termica del SIC CVD garantisce prestazioni stabili in condizioni di alta temperatura.

● Basso coefficiente di espansione termica: Il materiale ha un coefficiente di espansione termica estremamente bassa, che riduce al minimo la deformazione e la deformazione causate dalle variazioni di temperatura.

● Resistenza alla corrosione chimica: Eccellente resistenza chimica gli consente di mantenere alte prestazioni in una varietà di ambienti difficili.

Supporto preciso e trasferimento di calore ottimizzato

SIC Coated a base di suscettori a pancake di Veteksemi è progettato per ospitare wafer a semiconduttori e fornire un eccellente supporto durante la deposizione epitassiale. Il suscettore SIC Pancake è progettato utilizzando la tecnologia di simulazione computazionale avanzata per ridurre al minimo la deformazione e la deformazione in diverse condizioni di temperatura e pressione. Il suo tipico coefficiente di espansione termica è di circa 4,0 × 10^-6/° C, il che significa che la sua stabilità dimensionale è significativamente migliore dei materiali tradizionali in ambienti ad alta temperatura, garantendo così la coerenza dello spessore del wafer (in genere da 200 mm a 300 mm).

Inoltre, il suscettore del pancake CVD eccelle nel trasferimento di calore, con una conducibilità termica fino a 120 W/m · K. Questa elevata conduttività termica può condurre rapidamente ed efficacemente il calore, migliorare l'uniformità della temperatura all'interno del forno, garantire una distribuzione uniforme del calore durante la deposizione epitassiale e ridurre i difetti di deposizione causati da calore irregolare. Le prestazioni ottimizzate del trasferimento di calore sono fondamentali per migliorare la qualità della deposizione, il che può ridurre efficacemente le fluttuazioni dei processi e migliorare la resa.

Attraverso queste ottimizzazioni di progettazione e prestazioni, il susceptor per pancake SIC CVD di Vetek Semiconductor fornisce una solida base per la produzione di semiconduttori, garantendo affidabilità e coerenza in condizioni di elaborazione difficili e soddisfacendo i rigorosi requisiti della moderna industria dei semiconduttori per l'alta precisione e qualità.

Struttura cristallina del film Sic CVD

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura cristallina	Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	2500 Vickers Durezza （500 g di carico）
Dimensione del grano	2 ~ 10 mm
Purezza chimica	99.99995%
Capacità termica	640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Forza di flessione	415 MPA RT 4 punti
Il modulo di Young	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica	300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE)	4,5 × 10-6K-1