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Piastra portante di attacco PSS per semiconduttore
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Piastra portante di attacco PSS per semiconduttore

La piastra portante di incisione PSS di Vetek Semiconductor per semiconduttore è un vettore di grafite ultra-puro di alta qualità progettato per i processi di gestione dei wafer. I nostri vettori hanno prestazioni eccellenti e possono funzionare bene in ambienti difficili, alte temperature e condizioni di pulizia chimica dure. I nostri prodotti sono ampiamente utilizzati in molti mercati europei e americani e non vediamo l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina. Sei il benvenuto a venire in Cina per visitare la nostra fabbrica e saperne di più sulla nostra tecnologia e prodotti.
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Descrizione del prodotto

Come produttore professionista leader sul campo, Vetek Semiconductor è lieto di offrirti piastre di carriere per incisioni PSS di prim'ordine su misura per l'industria dei semiconduttori.


Le nostre piastre portanti di incisione PSS per semiconduttori sono componenti altamente specializzati che sono indispensabili nelle procedure di incisione della spettroscopia di sorgente plasmatica (PSS) all'interno del regno di produzione di semiconduttori. Queste piastre assumono un ruolo fondamentale durante il processo di incisione. Forniscono supporto stabile e garantiscono un trasporto regolare di wafer a semiconduttore, che è cruciale per la precisione e la qualità dell'operazione di incisione.


Ti invitiamo calorosamente a contattarci per qualsiasi domanda. Siamo sempre pronti ad assistere e fornire informazioni più dettagliate sui nostri prodotti eccezionali.




Piastra portante di attacco PSS per semiconduttoreCaratteristiche chiave:

● Progettazione di precisione: La piastra del vettore è progettata con dimensioni precise e piattaforma di superficie per garantire un attacco uniforme e costante attraverso i wafer a semiconduttore. Fornisce una piattaforma stabile e controllata per i wafer, consentendo risultati di incisione accurati e affidabili.

● Resistenza al plasma: La piastra portante presenta un'eccellente resistenza al plasma utilizzato nel processo di attacco. Non è influenzato dai gas reattivi e dal plasma ad alta energia, garantendo una vita di servizio prolungata e prestazioni coerenti.

● Conducibilità termica: La piastra portante presenta un'alta conduttività termica per dissipare efficiente il calore generato durante il processo di attacco. Questo aiuta a mantenere un controllo ottimale della temperatura e impedisce il surriscaldamento dei wafer a semiconduttore.

● Compatibilità: La piastra portante di incisione PSS è progettata per essere compatibile con varie dimensioni dei wafer di semiconduttore comunemente utilizzati nel settore, garantendo la versatilità e la facilità d'uso attraverso diversi processi di produzione.


Parametro del prodotto della piastra portante di incisione PSS per semiconduttore

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità di rivestimento SIC 3,21 g/cm³
Durezza del rivestimento CVD SIC 2500 Vickers Durezza （500 g di carico）
Dimensione del grano 2 ~ 10 μm
Purezza chimica 99.99995%
Capacità termica 640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPA RT 4 punti
Il modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE) 4,5 × 10-6K-1



Semiconduttore Piastra portante di attacco PSS per semiconduttoreNegozio di produzione

SiC Graphite substrateCVD TaC coating cover testSilicon carbide ceramic processingEPI process equipment



Panoramica della catena dell'industria dell'epitassia del chip a semiconduttore:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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