Supporto per wafer rivestito in SiC

La produzione di chip è inseparabile dai wafer. Nel processo di preparazione del wafer, ci sono due collegamenti principali: uno è la preparazione del substrato e l'altro è l'implementazione del processo epitassiale. Il substrato può essere inserito direttamente nel processo di produzione del wafer per produrre dispositivi a semiconduttore o ulteriormente migliorato attraverso ilprocesso epitassiale. 

L'epitassia deve far crescere un nuovo strato di singolo cristallo su un singolo substrato di cristallo che è stato elaborato finemente (taglio, macinazione, lucidatura, ecc.). Poiché lo strato di cristallo singolo appena cresciuto si espanderà secondo la fase cristallina del substrato, è chiamato strato epitassiale. Quando lo strato epitassiale cresce sul substrato, il tutto è chiamato wafer epitassiale. L'introduzione della tecnologia epitassiale risolve abilmente molti difetti di singoli substrati.

Nel forno di crescita epitassiale, il substrato non può essere posizionato in modo casuale e asupporto per waferè necessario posizionare il substrato sul supporto del wafer prima che la deposizione epitassiale possa essere eseguita sul substrato. Questo porta wafer è il vettore di wafer rivestito SIC.

Vista trasversale del reattore EPI

Una qualità elevataRivestimento SiCviene applicato sulla superficie della grafite SGL utilizzando la tecnologia CVD:

Con l'aiuto del rivestimento SiC, molte proprietà diPorta wafer rivestito in SiCsono stati notevolmente migliorati:

● Proprietà antiossidanti: Il rivestimento SIC ha una buona resistenza all'ossidazione e può proteggere la matrice di grafite dall'ossidazione ad alte temperature ed estendere la sua durata di servizio.

●  Resistenza alle alte temperature: Il punto di fusione del rivestimento SiC è molto elevato (circa 2700°C). Dopo aver aggiunto il rivestimento SiC alla matrice di grafite, può resistere a temperature più elevate, il che è vantaggioso per l'applicazione in un ambiente con forno a crescita epitassiale.

● Resistenza alla corrosione: La grafite è soggetta alla corrosione chimica in determinati ambienti acidi o alcalini, mentre il rivestimento SiC ha una buona resistenza alla corrosione acida e alcalina, quindi può essere utilizzato a lungo nei forni a crescita epitassiale.

● Resistenza all'usura: Il materiale SIC ha un'elevata durezza. Dopo che la grafite è stata rivestita con SIC, non è facilmente danneggiata se utilizzata in un forno di crescita epitassiale, riducendo il tasso di usura del materiale.

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DATI SEM DEL FILM CVD SIC

Semiconduttore VeTekNegozi di vettori di wafer rivestiti