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SIC rivestimento monocristallino silicio vassoio epitassiale
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SIC rivestimento monocristallino silicio vassoio epitassiale

Il rivestimento monocristallino del silicio SIC è un accessorio importante per la fornace di crescita epitassiale del silicio monocristallino, garantendo un inquinamento minimo e un ambiente di crescita epitassiale stabile. VETEK Semiconductor Il rivestimento del silicio monocristallino di Vetek Semiconductor ha una durata di un servizio ultra-lungo e offre una varietà di opzioni di personalizzazione. Vetek Semiconductor non vede l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina.

Il rivestimento SiC del semiconduttore VeTek Il vassoio epitassiale in silicio monocristallino è appositamente progettato per la crescita epitassiale del silicio monocristallino e svolge un ruolo importante nell'applicazione industriale dell'epitassia del silicio monocristallino e dei relativi dispositivi a semiconduttore.Rivestimento sicNon solo migliora significativamente la resistenza alla temperatura e la resistenza alla corrosione del vassoio, ma garantisce anche stabilità a lungo termine e prestazioni eccellenti in ambienti estremi.


Vantaggi del rivestimento SiC


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

●  Elevata conduttività termica: Il rivestimento SiC migliora notevolmente la capacità di gestione termica del vassoio e può disperdere efficacemente il calore generato dai dispositivi ad alta potenza.


●  Resistenza alla corrosione: Il rivestimento SiC funziona bene in ambienti ad alta temperatura e corrosivi, garantendo durata e affidabilità a lungo termine.


● Uniformità della superficie: Fornisce una superficie piana e liscia, evitando efficacemente errori di produzione causati dall'impresa di superficie e garantendo la stabilità della crescita epitassiale.


Secondo la ricerca, quando la dimensione dei pori del substrato di grafite è compresa tra 100 e 500 nm, è possibile preparare un rivestimento in gradiente di SiC sul substrato di grafite e il rivestimento di SiC ha una maggiore capacità antiossidante. la resistenza all'ossidazione del rivestimento SiC su questa grafite (curva triangolare) è molto più forte di quella di altre specifiche di grafite, adatte alla crescita dell'epitassia del silicio monocristallino. Il rivestimento SiC di VeTek Semiconductor Il vassoio epitassiale in silicio monocristallino utilizza la grafite SGL comesubstrato di grafite, che è in grado di raggiungere tali prestazioni.


VETEK Semiconductor Coating SIC di SIC Monocristalline Silicon Epitassiale Epitassiale utilizza i migliori materiali di grafite e la più avanzata tecnologia di elaborazione del rivestimento SIC. Soprattutto, indipendentemente dalla personalizzazione del prodotto che necessiti dei clienti, possiamo fare del nostro meglio per soddisfare.


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Grano Size
2~10μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J · kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione
415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young
Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica
300 W·m-1·K-1
Espansione termica (CTE)
4,5 × 10-6K-1

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Tag caldi: Rivestimento SiC Vassoio epitassiale in silicio monocristallino
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