Soffione in carburo di silicio

La doccia in carburo di silicio a semiconduttore Vetek è realizzato principalmente in SIC. Nell'elaborazione dei semiconduttori, la funzione principale del capo doccia in carburo di silicio è quella di distribuire uniformemente il gas di reazione per garantire la formazione di un film uniforme durantedeposizione di vapore chimico (CVD)Odeposizione di vapore fisico (PVD)processi. A causa delle eccellenti proprietà di SIC come l'alta conduttività termica e la stabilità chimica, il soffitto SIC può funzionare in modo efficiente alle alte temperature, ridurre l'impresa del flusso di gas durante ilprocesso di deposizione, e quindi migliorare la qualità dello strato del film.

La doccia in carburo di silicio può distribuire uniformemente il gas di reazione attraverso più ugelli con la stessa apertura, garantire un flusso di gas uniforme, evitare concentrazioni locali troppo alte o troppo basse e quindi migliorare la qualità del film. Combinato con l'eccellente resistenza ad alta temperatura e la stabilità chimica diCVD SIC, nessuna particella o contaminante viene rilasciata durante ilprocesso di deposizione del film, che è fondamentale per mantenere la purezza della deposizione del film.

Matrix per prestazioni core

Indicatori chiave Specifiche tecniche Standard di prova

Materiale di base 6N Grade Chemical Deposition Silicon Carbide Semi F47-0703

Conducibilità termica (25 ℃) 330 W/(M · K) ± 5%ASTM E1461

Intervallo di temperatura operativo -196 ℃ ~ 1650 ℃ stabilità del ciclo MIL-STD-883 Metodo

Accuratezza della lavorazione dell'apertura ± 0,005 mm (tecnologia di lavorazione a microhole laser) ISO 286-2

Rugosità superficiale RA ≤0,05μm (trattamento con grado speculare) JIS B 0601: 2013

Triple Process Innovation Advantage

Controllo del flusso d'aria in nanoscala

1080 fori Matrix Design: adotta la struttura a nido d'ape asimmetrica per ottenere l'uniformità della distribuzione del gas al 95,7% (dati misurati)

Tecnologia di apertura del gradiente: anello esterno da 0,35 mm → layout progressivo centrale 0,2 mm, eliminando l'effetto del bordo

Protezione del deposito di contaminazione zero

Trattamento superficiale ultra-pulito:

L'attacco a fascio ionico rimuove lo strato danneggiato del sottosuolo

Deposizione di strati atomici (ALD) AL₂O₃ Film protettivo (Opzionale)

Stabilità meccanica termica

Coefficiente di deformazione termica: ≤0,8μm/m · ℃ (73% inferiore rispetto ai materiali tradizionali)

Passato a 3000 test di shock termico (ciclo RT↔1450 ℃)

SEM Dati diStruttura cristallina del film Sic CVD：

Proprietà fisiche di base del CVD Rivestimento sic：

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