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Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio
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Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio

La grafite porosa rivestita in carburo di Tantalum è un prodotto indispensabile nel processo di elaborazione dei semiconduttori, in particolare nel processo di crescita dei cristalli SIC. Dopo continui aggiornamenti di investimenti in R&S e tecnologia, la qualità del prodotto poroso di grafite poroso di VETEK Semiconductor ha vinto elogi da parte dei clienti europei e americani. Benvenuti nella tua ulteriore consultazione.

VETEK Semiconductor tantalum in carburo di grafite porosa rivestita è diventato un cristallo in carburo di silicio (SIC) a causa della sua resistenza a temperatura super alta (punto di fusione intorno a 3880 ° C), eccellente stabilità termica, resistenza meccanica e inerzia chimica in ambienti ad alta temperatura. Un materiale indispensabile nel processo di crescita. In particolare, la sua struttura porosa offre molti vantaggi tecnici per ilprocesso di crescita cristallina


Quella che segue è un'analisi dettagliata diGrafite porosa rivestita in carburo di tantalumruolo fondamentale:

● Migliorare l'efficienza del flusso di gas e controllare accuratamente i parametri di processo

La struttura microporosa della grafite porosa può promuovere la distribuzione uniforme dei gas di reazione (come gas in carburo e azoto), ottimizzando così l'atmosfera nella zona di reazione. Questa caratteristica può effettivamente evitare i problemi di accumulo di gas o turbolenza locali, garantire che i cristalli SIC siano stressati uniformemente durante il processo di crescita e il tasso di difetto è notevolmente ridotto. Allo stesso tempo, la struttura porosa consente anche una regolazione precisa dei gradienti di pressione del gas, ottimizzando ulteriormente i tassi di crescita dei cristalli e migliorando la coerenza del prodotto.


●  Ridurre l'accumulo di stress termico e migliorare l'integrità del cristallo

Nelle operazioni ad alta temperatura, le proprietà elastiche del carburo di tantalio poroso (TAC) mitigano significativamente le concentrazioni di stress termico causate dalle differenze di temperatura. Questa capacità è particolarmente importante quando si coltivano cristalli SIC, riducendo il rischio di formazione di fessure termiche, migliorando così l'integrità della struttura cristallina e della stabilità di elaborazione.


●  Ottimizzare la distribuzione del calore e migliorare l'efficienza dell'utilizzo dell'energia

Il rivestimento in carburo di TantaLum non solo fornisce grafite porosa maggiore conducibilità termica, ma le sue caratteristiche porose possono anche distribuire il calore uniformemente, garantendo una distribuzione della temperatura altamente costante all'interno dell'area di reazione. Questa gestione termica uniforme è la condizione fondamentale per la produzione di cristalli SIC ad alta purezza. Può anche migliorare significativamente l'efficienza del riscaldamento, ridurre il consumo di energia e rendere il processo di produzione più economico ed efficiente.


●  Migliora la resistenza alla corrosione ed estendi la vita dei componenti

I gas e i sottoprodotti in ambienti ad alta temperatura (come l'idrogeno o la fase vapore di carburo di silicio) possono causare grave corrosione ai materiali. Il rivestimento TaC fornisce un'eccellente barriera chimica alla grafite porosa, riducendo significativamente il tasso di corrosione del componente, prolungandone così la durata. Inoltre, il rivestimento garantisce la stabilità a lungo termine della struttura porosa, garantendo che le proprietà di trasporto del gas non vengano influenzate.


●  Blocca efficacemente la diffusione delle impurità e garantisce la purezza del cristallo

La matrice di grafite non rivestita può rilasciare tracce di impurità e il rivestimento TAC funge da barriera di isolamento per impedire a tali impurità di diffondere nel cristallo SIC in un ambiente ad alta temperatura. Questo effetto di schermatura è fondamentale per migliorare la purezza del cristallo e aiutare a soddisfare i rigorosi requisiti del settore dei semiconduttori per i materiali SIC di alta qualità.


La grafite porosa rivestita in carburo di tantalio di VeTek semiconductor migliora significativamente l'efficienza del processo e la qualità dei cristalli ottimizzando il flusso di gas, riducendo lo stress termico, migliorando l'uniformità termica, migliorando la resistenza alla corrosione e inibendo la diffusione delle impurità durante il processo di crescita dei cristalli SiC. L'applicazione di questo materiale non solo garantisce elevata precisione e purezza nella produzione, ma riduce anche notevolmente i costi operativi, rendendolo un pilastro importante nella moderna produzione di semiconduttori.

Ancora più importante, VeTeksemi è da tempo impegnata a fornire tecnologie avanzate e soluzioni di prodotto all'industria manifatturiera dei semiconduttori e supporta servizi di prodotti personalizzati in grafite porosa rivestita in carburo di tantalio. Siamo sinceramente lieti di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.


Proprietà fisiche del rivestimento in carburo di Tantalum

Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità del rivestimento TaC
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6,3*10-6/K
Durezza del rivestimento TaC (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza al rivestimento in carburo di tantalum
1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10 ~ -20um
Spessore del rivestimento
≥20um Valore tipico (35um ± 10um)

VETEK Semiconductor Tantalum in carburo di negozi di produzione di grafite porosi rivestiti

Graphite substrateSingle crystal growth furnaceGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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